【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术属于一种半导体器件，特别涉及一种硅平面低温度系数稳压管。现有的硅稳压管，都是采用一个管芯，一种是在管芯上只有一个稳压结，稳压值随温度变化而大幅度变化；另一种是在同一个管芯上有两个P－N结，一个作为稳压结、另一个作为补偿结，但由于补偿结的温度补偿范围受到稳压结制作条件的限制，稳压结的温度系数随稳压值的增加而增大，因此现有的硅稳压管稳压值低、功率小、只能在＋25℃～＋75℃温度范围内工作，满足不了在环境温度急剧变化条件下特别是负温条件下设备工作的需要。本技术的目的在于克服现有技术的不足之处，提供一种电压温度系数低(小于10－7V／℃)、稳压值高、功率大、适用温度范围广，特别适于负温条件下使用的硅平面低温度系数稳压管。本技术是这样实现的它有一个管座，根据稳压值的大小，在管座上分别粘接有至少2个芯片，其中一个芯片上制作有稳压结，其它芯片上各制作有与稳压结的温度系数相匹配的补偿结，所说的稳压结的发射极通过引线与正管脚相连，稳压结和补偿结通过引线依次串接在一起，其连接方式是稳压结为反向P－N结、补偿结为正向P－N结，串接在最后的补偿结的发射极通过引线与负管脚相连，从而使本技术能在＋100℃～－55℃条件下，使电压温度系数为零或趋近于零。本技术的优点在于稳压值高、功率大，适用温度范围广，可满足航空、航天及处于环境温度急剧变化条件下，特别是负温条件下设备工作的需要。以下结合附图对本技术做详细说明并提供实施例。附图说明图1是本技术的结构图；图2是图1A－A剖视图。实施例Ⅰ当稳压值较高时，可采用四个管芯。如附图所示，本技术有一个起支架及引出电极作用的管座1，在管座...
【技术保护点】
一种硅平面低温度系数稳压管，包括用来起支架和引出电极作用的管座，起密封作用的管帽和粘接在管座上的芯片，其特征在于，在管座１上粘接制作有稳压结５的芯片和粘接制作有与稳压结５的温度系数相匹配的补偿结６的芯片，所说的稳压结５的发射极通过引线与正管脚７相连，稳压结５与补偿结６通过引线相互串接在一起，其连接方式为稳压结５为反向Ｐ－Ｎ结、补偿结６为正向Ｐ－Ｎ结，且补偿结６的发射极通过引线与负管脚８相连。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种硅平面低温度系数稳压管，包括用来起支架和引出电极作用的管座，起密封作用的管帽和粘接在管座上的芯片，其特征在于，在管座1上粘接制作有稳压结5的芯片和粘接制作有与稳压结5的温度系数相匹配的补偿结6的芯片，所说的稳压结5的发射极通过引线与正管脚7相连，稳压结5与补偿结6通过引线相互串接在一起，其连接方式为稳压结5为反向P-...
【专利技术属性】
技术研发人员：祝春涛，何书琴，单志刚，
申请(专利权)人：锦州市半导体二厂，
类型：实用新型
国别省市：21[中国|辽宁]
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