嵌式功率半导体封装装置制造方法及图纸

一种嵌式功率半导体封装装置，包括有引线体、杯体、半导体组件、绝缘胶、隔离胶，其中杯体内部形成有杯体腔部、杯体内壁、沟槽及导热座，且导热座上具有一环状挡墙，并使导热座至杯体底部的刚性大于沟槽底面至杯体底部的刚性，用以保护置于导热座上的半导体组件，且此组件连结于导热座及引线体间，并有绝缘胶涂覆于半导体组件上，使半导体组件运作时，能使漏电量减小，且有隔离胶涂覆于绝缘胶的外层，使半导体组件不被湿气侵入。（*该技术在2012年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种嵌式功率半导体封装装置，是改善杯体的结构，并在半导体组件外涂覆有绝缘胶及隔离胶，借以保护半导体组件防止其龟裂及损坏，且使嵌式功率半导体封装装置在高温状态下也能正常运作。但是，公知的嵌式功率半导体封装装置有诸多的缺点，例使用公知的杯体20a结构不容易将半导体组件30a置于杯体腔部22a中央位置，而影响与其它组件的装配，且将合成树脂材料40a浇注于杯体腔部22a，用以保护杯体腔部22a内的半导体组件30a，但合成树脂材料40a的耐热温度约为175℃，且会因热冲击、树脂硬化及机械冲击而产生树脂裂纹现象，并导致合成树脂材料40a与杯体内壁21a间会产生间隙而使湿气侵入，并对半导体组件30a伤害性极大，此外合成树脂材料40a另有缺点为绝缘性不高的材料特性，且会因绝缘性不高而产生漏电的现象，进而使半导体组件30a的使用效率低及寿命降低等缺点。此外，施以紧配合方式将嵌式功率半导体封装装置嵌式板片50a的孔洞51a内时，会使杯体20a变形，而当杯体20a底部产生弯曲时，会导致杯体腔部22a的半导体组件30a龟裂，特别是半导体组件30a的角隅处易产生龟裂，进而影响嵌式功率半导体封装装置使用时的效能。所以，由上可知，公知的嵌式功率半导体封装装置，在实际使用上，显然具有缺陷存在，而待加以改善。本技术的另一目的在于提供一种嵌式功率半导体封装装置，设置有环状挡墙于导热座上，使半导体组件容易置放于导热座的中央位置。本技术的再一目的在于提供一种嵌式功率半导体封装装置，涂覆耐高温的绝缘胶于半导体组件上，借使半导体组件与连接于导热座及引线体的区域外绝缘，且在高温或低温状态下也保持绝缘。本技术的又一目的在于提供一种嵌式功率半导体封装装置，涂覆耐高温且防湿气的隔离胶于耐高温的绝缘胶上，用以防止湿气侵入半导体组件且保护半导体组件。本技术的上述目的是这样实现的一种嵌式功率半导体封装装置，其中包括一引线体；一半导体组件，连结所述引线体； 一杯体，形成有杯体腔部、杯体内壁、沟槽及导热座，并在所述导热座上形成有环状挡墙，且所述导热座连结所述半导体组件；一绝缘胶，涂覆于所述半导体组件及所述导热座上，半导体组件与非接触的区域绝缘；及一隔离胶，涂覆于所述绝缘胶的外层。本技术所述的嵌式功率半导体封装装置，其中所述绝缘胶材料为聚酰亚胺材料。本技术所述的嵌式功率半导体封装装置，其中所述隔离胶材料为环氧树脂材料。本技术所述的嵌式功率半导体封装装置，其中更进一步增设有缓冲体，浇注于所述杯体腔部，所述缓冲体材料为硅树脂材料，所述硅树脂材料与所述杯体内壁、所述沟槽、所述导热座及所述引线体作紧密连结，借以保护该半导体组件。本技术所述的嵌式功率半导体封装装置，其中所述导热座、所述杯体腔部及所述沟槽是对称性的设置于杯体内部，借此使半导体组件能置于该导热座时，借由环状挡墙的限制，使半导体容易置于导热座中央处。本技术所述的嵌式功率半导体封装装置，其中所述引线体设有弯折部。本技术所述的嵌式功率半导体封装装置，其中所述杯体底面还设有凹部。根据本技术所述的嵌式功率半导体封装装置，包括有引线体、杯体、连结于引线体及杯体间的半导体组件、绝缘胶、隔离胶。其中杯体腔部、杯体内壁、沟槽及导热座设置于杯体内部，且杯体腔部、沟槽及导热座对称地设置于杯体内部，此半导体组件连结于杯体的导热座及引线体间，并使导热座至杯体底部的刚性大于沟糟表面至杯体底部的刚性，用以保护置于导热座上的半导体组件，且导热座上形成有环状挡墙，从而可使半导体组件置于该导热座时，借由环状挡墙的限制，使半导体容易置于导热座中央处，另有绝缘胶涂覆于半导体组件及导热座上，借此使半导体组件运作时，能减小漏电量，且有隔离胶涂覆于绝缘胶的外层，借以保护半导体组件不被湿气侵入。为使能进一步了解本技术的特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本技术的详细说明及附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本技术加以限制。参阅图3是嵌式功率半导体封装装置剖视图，其中引线体10包括有一底座11，且引线体10包括有弯折部12，并借由引线体10的顶部及底部作为电性及机械连接点，用以与其它组件连结。另，设置有半导体组件20，此半导体组件20为功率半导体，且与引线体10连结。此外，参阅图3A嵌式功率半导体封装装置的局部剖视图及图4嵌式功率半导体封装装置的杯体剖视图，其中设置有杯体30，并其内部设有杯体腔部31、杯体内壁32、沟槽33及导热座34，且此杯体腔部31、导热座34及沟槽33是对称地设置于杯体内部，并将半导体组件20连结于杯体30的导热座34上，且导热座34至杯体30底部所形成的厚度大于沟槽33的底面至杯体30底部所形成的厚度，使导热座34至杯体30底部的刚性大于沟槽33底面至杯体30底部的刚性，此导热座34上并形成有环状挡墙35，以便可容易将半导体组件20置于导热座34中央处，既使半导体组件20置于杯体腔部31中央处，此杯体30底面设置有凹部36。并在半导体组件20及引线体10侧面上涂覆有绝缘胶50，并借由导热座34的环状挡墙35阻挡绝缘胶50流入杯体30的沟槽33内，使半导体组件20密封于杯体的导热座34上，此绝缘胶50可以是耐高温且高度绝缘的聚酰亚胺(POLYIMIDE)，使半导体组件20因运作而产生高温时，聚酰亚胺(POLYIMIDE)也可保持高温耐热绝缘的特性，使半导体组件20与导热座34非接触的区域绝缘，及半导体组件20与引线体10非接触的区域绝缘，使半导体组件20在高温及低温状态下运作时，亦能减小漏电量。在绝缘胶50的上层及引线体10侧边涂覆有隔离胶60，并借由导热座34的环状挡墙35阻挡隔离胶60流入杯体30的沟槽33，使隔离胶60能涂覆于绝缘胶50的外层，为使绝缘胶50及半导体组件20不被湿气侵入，进而保护半导体组件20正常的运作，此隔离胶60可以是环氧树脂(EPOXY)材料，使隔离胶60在高温及低温状态下依然能保持原有的防湿特性，而保护半导体组件20在运作时不被湿气侵入，并在杯体腔部31浇注有缓冲体70，用以保护导热座34上的半导体组件20。此嵌式功率半导体封装装置以紧配合的方式嵌入于板片40的孔洞41内，用以使用于其它装置上，且嵌式功率半导体封装装置的杯体30侧面因受到板片40的孔洞41的周缘的压力，进而使杯体30的底部微弯，所以借由导热座34至杯体30底面的刚性比沟槽33的底面至杯体30底面的刚性大，而控制弯曲变异量集中于沟槽33，使导热座34的弯曲变异量减小，从而可保护导热座34上的半导体组件20不被破坏，也能保持嵌式功率半导体封装装置原来的效能。由于嵌式功率半导体封装装置于嵌入于板片40的孔洞41内时，因对于嵌式功率半导体封装装置内的半导体组件20产生大的冲击力，所以借由杯体腔部31浇注有缓仲体70，此缓冲体70可为硅树脂(SI RESIN)材料，使硅树脂材料与杯体内壁32及引线体10作紧密连结，并利用缓冲体70来减低作用于半导体组件20的冲击力，用以保护半导体组件20，且此硅树脂材料有耐湿性、耐候性及在高温下也不降低电器特性等，用以达到嵌式功率半导体封装装置的正常的运作。但以上所述仅为本技术的较佳可行实施例，非因此限制本技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种嵌式功率半导体封装装置，其特征在于，包括： 一引线体； 一半导体组件，连结所述引线体； 一杯体，形成有杯体腔部、杯体内壁、沟槽及导热座，并在所述导热座上形成有环状挡墙，且所述导热座连结所述半导体组件； 一绝缘胶，涂覆于所述半导体组件及所述导热座上，半导体组件与非接触的区域绝缘；及 一隔离胶，涂覆于所述绝缘胶的外层。

【技术特征摘要】
1.一种嵌式功率半导体封装装置，其特征在于，包括一引线体；一半导体组件，连结所述引线体；一杯体，形成有杯体腔部、杯体内壁、沟槽及导热座，并在所述导热座上形成有环状挡墙，且所述导热座连结所述半导体组件；一绝缘胶，涂覆于所述半导体组件及所述导热座上，半导体组件与非接触的区域绝缘；及一隔离胶，涂覆于所述绝缘胶的外层。2.如权利要求1所述的嵌式功率半导体封装装置，其特征在于，所述绝缘胶材料为聚酰亚胺材料。3.如权利要求1所述的嵌式功率半导体封装装置，其特征在于，所述隔离胶材料为环氧树脂材...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈长庚，
申请(专利权)人：朋程科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]