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一种单晶硅太阳能电池绒面腐蚀槽制造技术

技术编号:3227009 阅读:222 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种单晶硅太阳能电池绒面腐蚀槽,包括槽体、加热管、支撑平板、硅片承载器,在支撑平板的左右两端分别开有左缺口和右缺口,支撑平板架设在槽体内,并与槽体底面形成一个空腔,所述加热管安装在槽体内壁上,且位于左缺口或右缺口的上方,硅片承载器放置在支撑平板上。当腐蚀槽加热时,腐蚀液从加热管的缺口垂直于承载器的方向流动,沿着支撑平板的缺口流到支撑平板下面的空腔中,再沿着靠近加热管的缺口上升继续加热,如此不断循环。这样,整个硅片表面的受热均匀,腐蚀液流动均匀,腐蚀速度均匀,绒面结构一致。(*该技术在2017年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及晶体硅太阳能电池,尤紫步及单晶硅太阳能电鹏戎面腐蚀槽。技术背景单晶硅太阳能电池表面陷光效果与太阳能电池的金字塔绒面均匀性有直接关系。目前,单晶硅太阳能电池绒面都是通过腐蚀法来获得金字塔绒面的,现在常用的方 法是将硅片竖直地放在硅片承载器中,然后将硅片承载器放置在装有腐蚀液的腐蚀槽 中,腐蚀液由氢氧化钠或氢氧化钾、水、消泡剂混合而成。目前,单晶硅太阳能电池绒 面腐蚀槽由槽体、加热管、支撑平板、硅片承,组成,加热管设置在槽体的底部,支撑平板架设在加热管的上面,在支撑平板上均匀地设有若干渗液孔,硅片承载器放置在 支撑平社,加热后的腐蚀船人支撑平板的渗液孔中冒出,流动的腐蚀液与硅片接触, 使单晶硅太阳能电池形成绒面。这种结构的腐蚀槽,腐蚀液的流向硅片底部流至赔 片的上部,再沿槽壁流下,不断循环。由于在支撑平板上有若干个均匀分布的渗液孔 在设有渗液孔的腐蚀液流动快,没有渗液孔的{體腐蚀液流动慢,这硅片底部腐 蚀液的流动不均匀,造成了硅片表面腐蚀不均,所获得的绒面表面不均匀,难以达到人们的预期要求
技术实现思路
为了克服缺陷,提高单晶硅太阳能电池绒面均匀性,本技术跑共了一种新 型单晶硅太阳能电池绒面腐蚀槽。本技术所采用的技术方案是所述单晶硅太阳能电池绒面腐蚀槽,包括槽体、加热管、支撑平板、硅片承载器,支撑平板架设在槽体内,并与槽体底面形成一个空腔,硅片承载器放置在支撑平板上,硅片插驗硅片承繊上,辦征是在雜平板的左右两端分别开有左缺口和右缺口,戶/i^加热管安^&槽体内壁上,且位于左缺口^&缺口的上方。戶;M^缺口和右缺口的微为D字形,齡支撑平板的微为工字形。当腐蚀槽加热时,腐蚀^A设有加热管的一女繊口流出,沿垂直于承織的方向流向另一端的缺口, ^it支撑平板下面的空腔中,再髓^fi加热管的缺口上升继续加热, 如此不断循环。这样,不^^^硅片表面的受热均匀,而m蚀液流动iM均匀,腐蚀液与硅片的撤虫机率更均匀,从而使得腐tM^均匀,所形成的绒面结构均匀一致。附图说明图1 2为本技术的结构示意图; 其中,图2为图1的俯视图中,1-槽休2-加热管;3-支撑平板;44圭片承織;5-左缺口; 6-右缺口; 7-槽体底面;8一槽体内壁;9-空腔;10-硅片。以下结合附图1、图2详细说明本技术的具体实施方式,戶脱单晶硅太阳能电 ^ffi腐蚀槽,由槽体l、加热管2、支撑平板3、硅片承载器4組成,在支撑平板3的 左右两端开有D字形的左缺口 5和右缺口 6,整个支撑平板3的形状为工字形, 支撑平板3架设在槽体1内,并与槽体底面7形成一个空腔9,戶;M加热管2安^^槽 体内壁8上,且位于支撑平板3的右缺口 6的上方,硅片承織4方爐支撑平板3上, 硅片10插^£硅片承 4上。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单晶硅太阳能电池绒面腐蚀槽,包括槽体(1)、加热管(2)、支撑平板(3)、硅片承载器(4),支撑平板(3)架设在槽体(1)内,并与槽体底面(7)形成一个空腔(9),硅片承载器(4)放置在支撑平板(3)上,硅片(10)插装在硅片承载器(4)上,其特征是:在支撑平板(3)的两端开有左缺口(5)和右缺口(6),所述加热管(2)安装在槽体内壁(8)上,且位于左缺口(5)或右缺口(6)的上方。

【技术特征摘要】
1、一种单晶硅太阳能电池绒面腐蚀槽,包括槽体(1)、加热管(2)、支撑平板(3)、硅片承载器(4),支撑平板(3)架设在槽体(1)内,并与槽体底面(7)形成一个空腔(9),硅片承载器(4)放置在支撑平板(3)上,硅片(10)插装在硅片承载器(4)上,其特征是在支撑平板...

【专利技术属性】
技术研发人员:荀建华刘志刚
申请(专利权)人:荀建华刘志刚
类型:实用新型
国别省市:32[中国|江苏]

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