【技术实现步骤摘要】
一种单晶^t阳能电〗败:l面腐蚀槽狱领敏本专利技术涉及晶^i:阳能电池,尤 及单晶硅太阳能电,面腐蚀槽。背景駄单晶硅太阳能电M^面陷光效果与太阳能电池的金字塔绒面均匀性有直接关系。目前,单晶硅太阳能电鹏面都^iil腐蚀 球获得金字塔绒面的,现在常用的方 法超維片竖直鹏爐在硅片承織中,然后離片承織方爐在駭腐蚀液的腐蚀槽 中,腐蚀液由氢氧化钠驢氧化钾、水、消泡剂混合而成。目前,单晶硅太阳能电鹏 面腐蚀槽由槽体、加热管、支撑平板、硅片織器《賊,力口热管设置在槽体的底部,支 撑平板架设在加热管的上面,在支撑平fel均匀地设有^f渗液孔,硅片承,方爐在 雄平社,加热后的腐蚀狐穷掌平社的渗液孔中冒出,流动的腐蚀液与硅片撤虫, 使单晶硅太阳能电池形成绒面。这种结构的腐蚀槽,腐蚀液的流向是从硅片底部i^i赔 片的上部,再沿lf壁流下,不断循环。由于在支撑平fei:有^F个均匀分布的渗液孔, 在设有渗液孔的^gj^蚀液流动快,没有渗液孔的^S腐蚀液流动慢,这離片底部腐 蚀液的流动不均匀,造成了硅片表面腐蚀不均,所获得的绒面表面不均匀,难以达到人 们的f^要求。
技术实现思路
为了克SgJ^缺陷,提高单晶硅太阳能电池绒面均匀性,本专利技术鄉了一种新型单 晶硅太阳能电^^面腐蚀槽。本专利技术所細的技术方案是戶;M单晶硅太阳能电池绒面腐蚀槽,包括槽体、加热管、支撑平板、硅片承载器, 支撑平板架设在槽体内,并与槽体底面形成一个空腔,硅片承織放置在支撑平t肚,硅片插^&硅片承,上,,征是在穷掌平板的左右两端分别开有左缺口和右缺口,戶;M加热管安驗槽体内ILt:,且位于左缺口航缺口的 ...
【技术保护点】
一种单晶硅太阳能电池绒面腐蚀槽,包括槽体(1)、加热管(2)、支撑平板(3)、硅片承载器(4),支撑平板(3)架设在槽体(1)内,并与槽体底面(7)形成一个空腔(9),硅片承载器(4)放置在支撑平板(3)上,硅片(10)插装在硅片承载器(4)上,其特征是:在支撑平板(3)的两端开有左缺口(5)和右缺口(6),所述加热管(2)安装在槽体内壁(8)上,且位于左缺口(5)或右缺口(6)的上方。
【技术特征摘要】
1、一种单晶硅太阳能电池绒面腐蚀槽,包括槽体(1)、加热管(2)、支撑平板(3)、硅片承载器(4),支撑平板(3)架设在槽体(1)内,并与槽体底面(7)形成一个空腔(9),硅片承载器(4)放置在支撑平板(3)上,硅片(10)插装在硅片承载器(4)上,其特征是在支撑平板...
【专利技术属性】
技术研发人员:荀建华,刘志刚,
申请(专利权)人:常州亿晶光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:32[中国|江苏]
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