气态氟化氢供应装置制造方法及图纸

一种气态氟化氢供应装置，包括，存放氟化氢的贮存腔室和用于关闭或开放所述贮存腔室的气体开关，所述氟化氢包含液态氟化氢和气态氟化氢；所述气态氟化氢供应装置还连接有用以加热所述贮存腔室的控温装置。可提高位于其贮存腔室内的液态氟化氢的利用率。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体制造
，特别涉及一种气态氟化氢供 应装置。技术背景化学气相淀积(CVD)是通过气体混合后发生化学反应以在硅片表面 淀积膜层的工艺。通常，CVD反应系统利用不同的设计，以生成具有质量 差异的膜。根据反应系统内反应腔室中压力的不同，CVD反应系统包含常 压CVD (APCVD)反应系统和低压CVD ( LPCVD )反应系统。与APCVD相比， LPCVD反应系统具有更低的成本、更高的产量及更好的膜性能，继而得到 更为广泛的应用。实际生产发现，应用所述LPCVD反应系统完成淀积膜层的操作后，上 述反应腔室壁上通常会形成有沉积物，所述沉积物包括颗粒及具有一定 分布的膜层。为减少所述沉积物，通常需对反应系统进行定期清洗。实 践中，基于生产和安全的考虑，大多采用原位清洗的方法对所述反应系 统进行定期清洗。对于LPCVD反应系统，可采用能与反应腔室壁上残留的 膜层及颗粒发生反应的气态氟化氢作为原位清洗时的反应气体，以与残 留的膜层及颗粒生成挥发性的生成物并排出系统。实践中，应用气态氟化氢供应装置提供气态氟化氢，如图1所示，所 述气态氟化氢供应装置包括，存放氟化氢的贮存腔室10和气体开关20, 所述氟化氢包含液态氟化氢和气态氟化氢；所述气体开关20关闭时，所 述氟化氢密闭于所述贮存腔室10内；所述气体开关20开放时，所述气态 氟化氢处于被供应状态。然而，实际生产发现，应用传统的气态氟化氢供应装置提供气态氟化 氢时，所述氟化氢的利用率非常低，通常仅约为O. 1%;即采购的定量的所述氟化氢未能被充分利用，造成生产成本的极大浪费。如何提高所述 氟化氢的利用率成为本领域技术人员亟待解决的问题。当前，已存在一些提高罐装气体的利用率的方法，如1999年9月1日公 开的公开号为CN1227324A的中国专利申请提供的低温液化气体贮罐 中低温气化气体的回收方法，通过在低温液化气体贮罐内设置有气化气 体回收冷却装置，使Ji&罐内的低温气化气体进入气化气体回收冷却装置 中，在贝i罐内低温液化气体低温作用下液化成液化气体。即通过将贮罐 中的气化气体全部回收为液化气体并得以利用，避免了因放空造成的损 失。但是，上述方法并未提供如何提高所述贮罐内定量的液化气体的利 用率的技术启示。
技术实现思路
本技术提供了一种，可提高位于其贮存腔室内的液态氟化氢的 利用率。本技术提供的一种气态氟化氢供应装置，包括，存放氟化氢的 贮存腔室和用于关闭或开放所述贮存腔室的气体开关，所述氟化氢包含 液态氟化氢和气态氟化氢；所述气态氟化氢供应装置还连接有用以加热 所述贮存腔室的控温装置。可选地，所述控温装置与所述气态氟化氢供应装置可拆卸连接；可选 地，所述贮存腔室开;^文时，所述控温装置加热所述贮存腔室；可选地， 所述控温装置为加热带；可选地，所述加热带为FTC5S-35225M;可选地， 所述加热带数目为至少一个；可选地，所述Ui存腔室包含底壁及由所述 底壁向上延伸以环绕所述底壁的侧壁，所述加热带环绕贮存所述液态氟 化氢的侧壁；可选地，所述加热带数目大于一个时，与所述气体管路相 连的各所述加热带间距离相等；可选地，所述贮存腔室内氟化氢的温度 范围为30 50摄氏度。与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点上述技术方案提供的气态氟化氢供应装置，通过在所述贮存腔室外 增加控温装置，如加热带，可提高所述贮存腔室内液态氟化氢的温度， 继而，增强所述液态氟化氬气化的比例，进而，提高位于所述l&存腔室 内的液态氟化氢的利用率，以增加气态氟化氢的供应量；利用上述技术方案提供的气态氟化氢供应装置，通过将所述贮存腔室内氟化氢的温度控制为30 ~ 50摄氏度，可将所述液态氟化氢的利用率由 约O. 1°/。提高至高于1%。附图说明图1为说明现有技术中气态氟化氢供应装置的结构示意图；图2为说明本技术实施例的气态氟化氢供应装置的结构示意图；图3为说明本技术实施例中应用的加热带的结构示意图。具体实施方式尽管下面将参照附图对本技术进行更详细的描述，其中表示了 本技术的优选实施例，应当理解本领域技术人员可以修改在此描述 的本技术而仍然实现本技术的有利效果。因此，下列的描述应 当被理解为对于本领域技术人员的广泛教导，而并不作为对本技术 的限制。为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细 描述^^知的功能和结构，因为它们会^f吏本技术由于不必要的细节而 混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以 实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个 实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂 和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本技术。根据 下列说明和权利要求书本技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用以方便、 明晰地辅助说明本技术实施例的目的。半导体工艺中应用的LPCVD (低压化学气相淀积)反应系统通常涉及 热处理操作。实践中，在所述热处理操作完成后，上述反应系统壁上残 留有沉积物，如具有一定厚度及分布的膜层及颗粒，所述沉积物极易发 生剥落。剥落的膜层及颗粒将随空气运动并停留在晶片上，形成微粒缺 陷。实际生产中，为减少微粒缺陷的产生，基于生产和安全的考虑，通 常采用原位清洗对反应系统进行定期清洗。当前，对于LPCVD反应系统，可采用能与反应腔室壁上残留的膜层 及颗粒发生反应的气态氟化氢作为原位清洗时的反应气体，以与残留的 膜层及颗粒生成挥发性的生成物并排出系统。应用HF执行原位清洗操作时，可在清洁气体中加入载气体，如氮 气(N2)或氩气(Ar)等；且，考虑到HF对反应腔室40壁可能造成的损 伤，所述反应气体中可同时通入F2气体，以减緩HF的腐蚀速率。作为示例，所述反应气体中包含HF、载气体&和F2,具体为HF 含量为49%的HF气体，其流量范围为0. 25 2升/分钟(slm)，如为lslm; F2含量为20°/。的R与N2的混合气体，其流量范围为0. 25 10slm,如为 5slm;载气体氮气的流量范围为l~20slm，如为1. 5slm。但是，应用传统的气态氟化氢供应装置提供气态氟化氢时，所述氟化 氢的利用率非常低，通常仅约为O. 1%;即采购的定量的所述氟化氢未能 被充分利用，造成生产成本的极大浪费。如何提高所述氟化氢的利用率 成为本领域技术人员亟待解决的问题。考虑到，传统的气态氟化氢供应装置的工作原理为，所述贮存腔室封 闭时，包含液态氟化氢和气态氟化氢的所述氟化氢密闭于所述贮存腔室 内；所述贮存腔室开放时，所述气态氟化氢处于被供应状态，随着所述 气态氟化氢的减少，由于大气压的作用，所述液态氟化氢发生气化反应，使部分所述液态氟化氢形成气态氟化氢，以补充所述气态氟化氢的减少， 使位于所述贮存腔室内的所述气态氟化氢处于动态平衡中。本技术的专利技术人分析后认为，氟化氢利用率低的原因在于，所述 贮存腔室开放时，随着所述气态氟化氢的减少，由于大气压的作用虽可 使部分所述液态氟化氢发生气化，而形成气态氟化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种气态氟化氢供应装置，包括，存放氟化氢的贮存腔室和用于关闭或开放所述贮存腔室的气体开关，所述氟化氢包含液态氟化氢和气态氟化氢；其特征在于：所述气态氟化氢供应装置还连接有用以加热所述贮存腔室的控温装置。

【技术特征摘要】
1.一种气态氟化氢供应装置，包括，存放氟化氢的贮存腔室和用于关闭或开放所述贮存腔室的气体开关，所述氟化氢包含液态氟化氢和气态氟化氢；其特征在于所述气态氟化氢供应装置还连接有用以加热所述贮存腔室的控温装置。2. 根据权利要求1所述的气态氟化氬供应装置，其特征在于所 述控温装置与所述气态氟化氢供应装置可拆卸连接。3. 根据权利要求1所述的气态氟化氢供应装置，其特征在于所 述贮存腔室开放时，所述控温装置加热所述贮存腔室。4. 根据权利要求1所述的气态氟化氢供应装置，其特征在于所 述控温装置为加热带。5. 根据权利要求4所述的气态氟化氢供应装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴松源，白杰，何有丰，唐兆云，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31[中国|上海]