【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
由立方晶系的半导体材料组成的上述外延层在基片上生长的方法。当生长结束时，处延层的晶格常数可以从相邻于上述基片的初始晶格常数缓变至外延层表面上的最终晶格常数。此外延层生长的方法包括，在上述基片上形成大量的生长表面的步骤，外延层上述生长表面上生长和控制上述外延层的晶格常数，它从上述初始的晶格常数变化至上述最终的晶格常数。上述的生长表面和受控制的晶格常数的变化是这样的，在上述外延层生长期间，对于上述外延层表面上每一个初始面积元，它在初始点有一初始晶格常数，过段时间后，在上述外延层表面上就有一个与之相关的类似面积元，它在类似点有一类似的晶格常数。在时间上上述类似点发生在初始点之后。...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：麦尔文西莫尔库克，
申请(专利权)人：麦尔文西莫尔库克，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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