【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路器件，特别是涉及一种半导体集成电路器件，其中采用了抗热载流子和抗静电击穿的措施，其内部电路具有金属氧化物半导体(MOS)场效应晶体管的轻掺杂漏(LDD)结构及其制造方法。在半导体器件中，特别是微型化半导体器中，包括金属一氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFETS)，建议为防止热载流子的出现，对源庭漏采用LDD结构。LDD结构的源和漏区是由高掺杂浓度区和低掺杂浓度区构成的，高掺杂区与栅电极相隔开形成的(以下用与栅电极偏离形成来表示)，而低掺杂浓度区是设置在高掺杂浓度区和栅电极之间。由于LDD结构，在沟道方向的漏边缘的电场减弱了，结果抑制了热载流子的出现。这样，由热载流子使元件特性退化会得到抑制，提高了可靠性。例如，在N-沟道的MOSFET(以下用NMOSFET)的情况下，上面提到低掺杂浓度区的浓度设置在1013/Cm-2的数量级，其长度在0.2到0.4μm之间。LDD在国际电子工程师电子器件学报，第ED-29卷，第4册，第590页1982年帕·杰·桑(P·J·Tsang)等的文章中描述过(P·J·Tsang et al，IEEE...
【技术保护点】
一半导体集成电路器件包括：一半导体衬底，一个第一导电型的第一种ＭＯＳＦＥＴ是在上述的半导体衬底上形成的，并且具有一个源和漏区，该源和漏区包括一个高杂质浓度的第一半导体区和一个具有低于上述第一半导体区杂质浓度的第二半导体区，并比上述第 一半导体区更加靠近沟道边；和一个第一个导电型的第二种ＭＯＳＦＥＴ是在上述的半导体衬底上形成的。它具有一个源和漏区，该源和漏区包括一个具有比上述第二半导体区杂质浓度高的第三个半导体区，是用与上述第二和第二半导体区不同的工艺步骤形成的，上述 第二ＭＯＳＦＥＴ的上述源和漏区是与一个焊点相连接的。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：甲藤久郎，奥山幸祜，
申请(专利权)人：株式会社日立制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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