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一半导体集成电路器件，在其内部电路的ＭＯＳＦＥＴ的源和漏区是轻掺杂的漏结构，这是为了压制热载流子的出现．而在输入／输出电路中的ＭＯＳＦＥＴ的源和漏区是具有高杂质浓度的掺磷结构，这是为了提高静电击穿电压的．...
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