【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于半导体器件的生产，特别是磷化铟(InP)半导体衬底的制备，可用于使用MOVPE技术的半导体器件的生产中。MOVPE(金属有机物气相外延)通常用于生长种类广泛的半导体器件，这类半导体器件包含要求精确的材料组成和厚度的多个外延层。在一些材料系统中，当从一种化合物转换成另一种时，实际上使用MOVPE可得到单层控制，在某些情况下这种转换对于精确的、可重复性的器件制造很主要。使用MOVPE获得的淀积层的纯度可能会很高，但会受到初始产品纯度的影响。一旦初始产品不完全纯，器件生产商就要采取措施，避免或消除生产过程中杂质引起的意料不到的影响，否则会降低成品率。我们知道，外延淀积的III-V族半导体通常在衬底界面处都会存在导电的界面层[1]。这个现象使生长在掺铁的Inp基衬底上的InP场效应晶体管(FETs)面临特殊的问题，因为这样会产生一个不能由门极电压控制的平行导电通路，从而阻止夹断。这样也会使输出电导、器件对器件间的漏电流增大，并且会增加一个寄生电容，影响高频特性。导电界面层的产生有许多成因，然而，目前最有说服力的证据表明在衬底/外延层界面Si原子的堆积...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于随后生长的外延层的衬底的制备方法，该方法包括以下步骤(a)将衬底退火以减少衬底上或衬底内的杂质浓度；此后(b)在衬底上生长一个或多个缓冲层，该缓冲层或至少一个缓冲层包含掺金属原子的半导体材料。2.根据权利要求1的方法，其中衬底包含磷化铟。3.根据权利要求2的方法，其中退火步骤是在包含磷化氢的气氛中进行。4.根据以上权利要求中任何一个的方法，其中至少一个缓冲层包含掺铁原子的半导体材料。5.根据以上任一权利要求的方法，其中至少一个缓冲层包含掺铁的InP。6.根据权利要求1～4中任一权利要求的方法，其中至少一个缓冲层包含掺铁的AlInAs。7.根据权利要求1～4中任一权利要求的方法，其中生长了一个以上缓冲层，在其中至少一个缓冲层包含掺铁的InP，并且其中至少另一个缓冲层包含掺铁的AlInAs。8.根据权利要求4到7中任何一个的方法，其中铁掺杂水平数量级介于1016到1017cm-3之间。9.根据任一前述权利要求的方法，还包括腐蚀衬底表面以去除表面杂质的步骤，其中该步骤在退火步骤后、在缓冲层生长步骤前进行。10.根据权利要求9的方法，依赖于权利要求2，其中腐蚀步骤包括在包含三氯化磷的气氛中加热衬底。11.根据权利要求10的方法，其中气氛中还包含高纯度的氢气。12.一种在衬底上制造半导体器件的方法，其中衬底是根据以上权利要求中任何一个方法制备的。13.一种包含一个衬底和淀积在其上的多个外延的器件层的半导体器件，其中衬底是根据权利要求1到12中任何一个方法制备的。...
【专利技术属性】
技术研发人员：P·C·斯佩登斯，M·A·沙尔特，M·J·哈劳，D·J·纽森，
申请(专利权)人：英国电讯公司，
类型：发明
国别省市：
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