【技术实现步骤摘要】
制备薄膜的方法及所制薄膜结构
本专利技术涉及一种制备薄膜的方法及所制薄膜结构。这种薄膜可以由一种或几种材料构成，特别是单晶材料。它能自承重或固定在一种可使所制结构更加坚硬的支承基质层上。这种薄膜有很多好处。作为例子可举出的是，柔性基质层可使用本专利技术薄膜或者各种需要薄膜的其它应用(在玻璃基质层或塑料基质层上的硅薄膜)。关于柔性基质片，可理解为其结构能够承受由于粘附结构所引起的应力，也有可能承受比如是由于利用异质外延法在该基质表面上的沉积层所引起的应力。现有技术法国专利文献FR-A-2 681 472描述了一种制备半导体材料薄膜的方法。该文献揭示出，在半导体材料基质中注入稀有气体或氢气能产生微型空腔或微型气泡(在英文术语中还用“platelets”一词表示)深度约为注入离子的平均渗透深度。如果该基质层由其注入面与加固件内在接触并且在足够的温度下进行热处理，就在微腔与微气泡之间产生一种互作用导致半导体基质分成两部分：一方面是粘贴在加固件上的半导体薄膜，另一方面是剩余的半导体基质。分离是在有微腔或微气泡的地方发生的。热处理的作用是，由注入产生的微腔或微气泡间的互...
【技术保护点】
薄膜（１，４０）的制备方法，其特征在于，它包括以下几个步骤： 通过第一个基质层（１０）的表面（１２）和第二个基质层（２０）的表面（２２）注入几种气体，就能在这些基质层中产生一些微型空腔（１１，２１），其为每个基质层限定出一个薄层（１３，２３），这种薄层处在这些微腔与注入面之间，这些微型空腔在其注入之后就能引起薄层从其基质层的脱离； －第一个基质层（１０）组合在第二个基质层（２０）上使注入面（１２，２２）正好彼此相对； －每个薄层从其基质层脱离，薄层（１３，２３）继续组合起来构成所述薄膜（１，４０）。
【技术特征摘要】
FR 1999-6-30 99/083801．薄膜(1,40)的制备方法，其特征在于，它包括以下几个步骤：通过第一个基质层(10)的表面(12)和第二个基质层(20)的表面(22)注入几种气体，就能在这些基质层中产生一些微型空腔(11,21)，其为每个基质层限定出一个薄层(13,23)，这种薄层处在这些微腔与注入面之间，这些微型空腔在其注入之后就能引起薄层从其基质层的脱离；-第一个基质层(10)组合在第二个基质层(20)上使注入面(12,22)正好彼此相对；-每个薄层从其基质层脱离，薄层(13,23)继续组合起来构成所述薄膜(1,40)。2．根据权利要求1所述的方法，其特征在于，各个步骤按以下顺序进行：-第一个基质层(10)和第二个基质层(20)的注入；-第一个基质层(10)通过注入面(12,22)组合在第二个基质层(20)上。-每个薄层(13,23)可同时或相继脱离。3．根据权利要求1所述的方法，其特征在于有些步骤按下列顺序进行：-第一个基质层的注入；-第一个基质层的注入面组合到指定接着进行注入的第二个基质层表面上；-从第一个基质层脱离薄层，该薄层保持组合在第二个基质层上；-通过从第一个基质层脱离的薄层进行第二个基质层的注入；-从第二个基质层脱离薄层，此薄层与第一个基质层的薄层组合在一起提供所述的薄膜。4．根据上述权利要求中任一权利要求所述的方法，其特征在于它安排了一个预注入步骤，主要就是在要进行注入的基质层中制成一个包体层，深度对应于在该基质层中要形成的薄层所希望的厚度，包体构成了以后要注入的几种气体的陷阱。5．根据权利要求1至4中任一权利要求所述的方法，其特征在于，几种气体在单晶材料基质层中的平均注入深度是依据单晶材料相对注入方向的晶格点阵排列而确定的。6．根据权利要求1至5中任一权利要求所述的方法，其特征在于通过第一个基质层和/或第二个基质层表面进行注入，由该表面可全部或部分地制成至少一个电子元(器)件和/或光电子元件和/或光学元件和/或微系统。7．根据权利要求1至5中任一权利要求所述的方法，其特征在于，每个薄层的脱离都是连续完成的，在实现了薄层的第一个脱离以后，在由于该第一个脱离而暴露出的薄层上，可全部或部分地制备至少一个...
【专利技术属性】
技术研发人员：B阿斯帕，M布吕尔，C若索，C拉加赫，
申请(专利权)人：法国原子能委员会，
类型：发明
国别省市：FR[法国]
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