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本发明揭示了一种在基片上生长立方晶系半导体材料的外延层的方法．其中外延层的晶格常数从邻接于基片的初始晶格常数缓变至外延层表面上的最终晶格常数．生长表面被形成在基片上．在外延层的晶格常数从初始晶格常数变至最终晶格常数时，便生长成外延层．...
该专利属于麦尔文.西莫尔.库克所有，仅供学习研究参考，未经过麦尔文.西莫尔.库克授权不得商用。

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