【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种太阳电池,更具体地说,涉及一种p-n结型太阳电池,在该太阳电池的半导体基片中形成有一个p-n结,该太阳电池还包括一电极(或接头),此电极是由含有元素周期表第五(V)族中的一种化学元素的金属涂料所制成的。在通常的p-n结型太阳电池中,要在前接头和半导体基片的扩散层之间获得一欧姆接触是有困难的。其理由是在前接头和半导体基片的扩散层之间形成有一层电绝缘材料制成的抗反射涂层。在上述结构中,电流电压(I-V)特性的填充因子(F.F.)会减小,则能量转换效率也会降低。因此,本专利技术的一个目的是要提供一改进了的太阳电池,这种经过改进的太阳电池,能在前接头和半导体基片的扩散层之间获得一足够好的欧姆接触,以致能量转换效率变高。本专利技术的另一个目的是提供一包括有由金属涂料制成的前接头的改进了的太阳电池,此金属涂料包括金属粉末、粉末玻璃、一种有机粘合剂、一种溶剂以及在元素周期表第五族某些元素中的至少一种元素。在此后给出的详细描述中,本专利技术的其它目的和可用范围是很明显的。然而,应该明白,当说明本专利技术的一些优选实施方案时,那些特例的详细描述只是按图解说的方法来进 ...
【技术保护点】
一种太阳电池,其特征是包括:一块半导体基片;通过在该半导体基片内扩散入活性杂质而制成的一扩散层;由一种金属涂料在该扩散层上制成的一接头,该金属涂料包含有起主要成分作用的金属粉、粉末玻璃以及一种属于元素周期表第五(Ⅴ)族中的化学元 素。
【技术特征摘要】
JP 1985-8-29 60-191243范围内。权利要求1.一种太阳电池,其特征是包括一块半导体基片;通过在该半导体基片内扩散入活性杂质而制成的一扩散层;由一种金属涂料在该扩散层上制成的一接头,该金属涂料包含有起主要成分作用的金属粉、粉末玻璃以及一种属于元素周期表第五(V)族中的化学元素。2.根据权利要求1的太阳电池,其特征在于进一步包括形成于该扩散层上、用以阻止光线被该太阳电池的表面所反射的抗反射涂层。3.根据权利要求2的太阳电池,其特征在于该接头的形成是利用焙烧穿通抗反射涂层,在该扩散层和该接头间形成一足够好的欧姆接触。4.根据权利要求2的太阳电池,其特征在于该抗反射涂层是由一种电绝缘材料制成的。5.根据权利要求4的太阳电池,其特征在于抗反射涂层的材料是从TiO2、SiO2、Ta2O5、SnO2以及Si3N...
【专利技术属性】
技术研发人员:永原美行,蓝田章,浅井正人,中岛绅一,高森信之,
申请(专利权)人:夏普公司,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。