太阳能电池制造技术

推荐一种硅太阳能电池（１９），在其基片（１）的一面上，由一ＭＩＳ（１、２、３）所产生的电场使由辐射能产生的各载流子分离。各少数载流子被在ＭＩＳ接触的金属（３）中排出，而各多数载流子被配置在其对面的各欧姆接触（４）导去，所述各欧姆接触被定位于比基片表面（２２）高的被升高的各区域（２１）上。此外，载有各欧姆接触（４）的基体（１）的一面完全是至少由一层钝层（５）覆盖的。（*该技术在2008年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种例如由硅半导体材料制成的薄膜太阳能电池（１９，２０，３０），其半导体基片（１，６，１２，１３）中的少数和多数载流子由辐射能产生，所述两种载流子通过电场可分离并也可放电，其各欧姆接触（４，１０，１６）配置在（第一）半导体基片表面的各区间，并彼止相互链接，从而其钝化层（５，１１，１８）至少配置在所述各欧姆接触之间，其特征在于使少数和多数载流子分离的电场在被设置于载有欧姆接触区的第一半导体基体表面的对面的（第二）半导体基体表面附近中，因此多数载流子扩散到汇集所述载流子的各欧姆接触区，而且欧姆接触（４，１０，１６）配置在第一半导体基片表面的各第一区（２１，２３，２５）上，该表面高于各欧姆接触间的各...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：卡尔格哈德赫斯泰，鲁道夫赫索，
申请(专利权)人：纽肯股份有限公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]