模数转换电路和互补金属氧化物半导体图像传感器制造技术

模数转换电路和互补金属氧化物半导体图像传感器。公开了模数转换(ADC)电路和包括该电路的CMOS图像传感器，其涉及用于去除通过像素数据的转换而产生的噪声的技术。ADC电路包括：第一列线，其被配置为从第一像素接收第一像素信号；第二列线，其被配置为从第二像素接收第二像素信号；以及相关双采样(CDS)电路，其被配置为通过将第一像素信号、第二像素信号、第一斜坡信号和第二斜坡信号彼此进行比较来执行CDS操作。执行CDS操作。执行CDS操作。

【技术实现步骤摘要】
模数转换电路和互补金属氧化物半导体图像传感器
[0001]本申请是申请日为2019年1月11日、申请号为201910026033.6、专利技术名称为“模数转换(ADC)电路和包括其的CMOS图像传感器”的专利技术专利申请的分案申请。


[0002]本专利文件中公开的技术和实施方式涉及模数转换(ADC)电路和包括其的CMOS图像传感器(CIS)。

技术介绍

[0003]已经开发出通过CMOS工艺实现的互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器(CIS)，以具有比其他竞争产品更低的功耗、更低的成本和更小的尺寸。因此，CMOS图像传感器(CIS)已经被深入研究并迅速得到广泛使用。具体地，CMOS图像传感器(CIS)已经被开发为具有比其他竞争产品更高的图像质量，使得与竞争产品相比，CMOS图像传感器(CIS)的应用范围最近已经扩展到需要更高分辨率和更高帧速率的视频应用。

技术实现思路

[0004]所公开的技术的各种实施方式涉及提供模数转换(ADC)电路和包括该电路的CMOS图像传感器，其基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而导致的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种模数转换ADC电路，该模数转换ADC电路包括：第一列线，所述第一列线被配置为从第一像素接收第一像素信号，所述第一像素信号响应于入射在所述第一像素上的光而产生；第二列线，所述第二列线被配置为从与所述第一像素相邻的第二像素接收第二像素信号，所述第二像素信号响应于入射在所述第二像素上的光而产生；以及相关双采样CDS电路，所述相关双采样CDS电路被配置为通过将所述第一像素信号、所述第二像素信号、第一斜坡信号和第二斜坡信号彼此进行比较来执行相关双采样CDS操作，其中，所述相关双采样CDS电路通过在第一操作时段中选择所述第一列线来对所述第一像素信号执行所述相关双采样CDS操作，并通过在第二操作时段中选择所述第一列线和所述第二列线来对所述第一像素信号和所述第二像素信号执行所述相关双采样CDS操作。2.根据权利要求1所述的模数转换ADC电路，其中，在所述第二操作时段中，由不同的行驱动器选择所述第一列线和所述第二列线。3.根据权利要求1所述的模数转换ADC电路，其中，所述相关双采样CDS电路包括：第一电容器，所述第一电容器联接在所述第一列线和第一节点之间；第二电容器，所述第二电容器联接在所述第一斜坡信号的输入端子和所述第一节点之间；第三电容器，所述第三电容器联接在所述第二斜坡信号的输入端子和第二节点之间；第四电容器，所述第四电容器联接在所述第二列线和所述第二节点之间；以及比较器，所述比较器被配置为通过将所述第一节点的信号与所述第二节点的信号进行比较来输出采样信号。4.根据权利要求1所述的模数转换ADC电路，其中，在所述第一操作时段中，执行所述第一像素信号的数据转换；并且在所述第二操作时段中，通过完成所述第一像素信号的数据转换来执行黑数据的传输，并且执行所述第二像素信号的数据转换。5.一种互补金属氧化物半导体CMOS图像传感器，该CMOS图像传感器包括：第一像素，所述第一像素被配置为通过第一列线输出第一像素信号；第二像素，所述第二像素邻近所述第一像素，并且所述第二像素被配置为通过第二列线输出第二像素信号；以及模数转换ADC电路，所述模数转换ADC电路被配置为通过将所述第一像素信号、所述第二像素信号、第一斜坡信号和第二斜坡信号彼此进行比较来执行相关双采样CDS操作，对一个或更多个采样信号进行计数，并将计数结果信号作为数字信号输出，其中，所述第一像素在第一操作时段中被激活，并且所述第一像素和所述第二像素在第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：金泰逵，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：