二级放大电路、比较电路、读出电路及图像传感器电路制造技术

本发明专利技术提供了一种二级放大电路，包括二级放大单元和漏电补偿单元，所述二级放大单元包括第一PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和第一电容，所述漏电补偿单元与所述第一电容连接，用于与所述第一电容共享电荷，以补偿所述第一电容因漏电流流失的电荷，能够有效的降低漏电流对电路的影响。本发明专利技术还提供了一种比较电路、读出电路及图像传感器电路。读出电路及图像传感器电路。读出电路及图像传感器电路。

【技术实现步骤摘要】
二级放大电路、比较电路、读出电路及图像传感器电路


[0001]本专利技术涉及图像处理
，尤其涉及一种二级放大电路、比较电路、读出电路及图像传感器电路。

技术介绍

[0002]传统CMOS图像传感器(CMOS image sensor，CIS)结构中，列级ADC比较器的第二级复位管的漏电会导致ADC比较器输出翻转发生偏移，使最终ADC转换数据发生变化。
[0003]每一列ADC比较器的第二级复位管由于加工工艺的不一致，其尺寸、阈值电压的微弱偏差会使漏电也存在偏差，该偏差将导致不同列ADC比较器输出数据的偏差，从而导致在图像上形成视觉可见的暗条纹。
[0004]因此，有必要提供一种新型的二级放大电路、比较电路、读出电路及图像传感器电路以解决现有技术中存在的上述问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种二级放大电路、比较电路、读出电路及图像传感器电路，以降低漏电流对电路的影响。
[0006]为实现上述目的，本专利技术的所述二级放大电路，包括：
[0007]二级放大单元，包括第一PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和第一电容，所述第一PMOS管的源极连接工作电压，所述第一PMOS管的栅极用于接收比较器的一级放大单元的输出信号，所述第一PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极连接，所述第一NMOS管的源极接地，所述第一NMOS管的栅极与所述第二NMOS管源极和所述第一电容的一端连接，所述第一电容的另一端接地，所述第二NMOS管的栅极用于接收第一控制信号；以及
[0008]漏电补偿单元，与所述第一电容连接，用于与所述第一电容共享电荷，以补偿所述第一电容因漏电流流失的电荷。
[0009]所述二级放大电路的有益效果在于：漏电补偿单元与所述第一电容连接，用于与所述第一电容共享电荷，以补偿所述第一电容因漏电流流失的电荷，能够有效的降低漏电流对电路的影响。
[0010]优选地，所述漏电补偿单元包括第三NMOS管、第四NMOS管和第二电容，所述第三NMOS管的漏极连接工作电压，所述第三NMOS管的栅极用于接收第二控制信号，所述第三NMOS管的源极连接所述第四NMOS管的源极和所述第二电容的一端，所述第二电容的另一端接地，所述第四NMOS管的漏极与所述第二电容的一端连接，所述第四NMOS管的栅极用于接收第三控制信号。其有益效果在于：能够有效的补偿所述第一电容因漏电流流失的电荷。
[0011]本专利技术还提供了一种比较电路，应用于CMOS图像传感器，包括：
[0012]二级放大电路；以及
[0013]一级放大单元，包括电流镜电路、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第三电容
和第四电容，所述第五NMOS管的漏极和所述第六NMOS管的漏极分别与所述电流镜电路的两个电流输出端连接，所述第五NMOS管的栅极与所述第三电容的一端连接，所述第三电容的另一端用于接收斜波信号，所述第六NMOS管的栅极连接所述第四电容的一端，所述第四电容的另一端用于接收像素信号，所述第五NMOS管的源极和所述第六NMOS管的源极均与所述第七NMOS管的漏极连接，所述第七NMOS管的源极接地，所述第七NMOS管的栅极用于接收第四控制信号，所述第六NMOS管的漏极还与所述二级放大电路连接，以向所述二级放大电路输出数据。
[0014]所述比较电路的有益效果在于：包括二级放大电路，能够有效的降低漏电流对电路的影响。
[0015]优选地，所述一级放大单元还包括复位单元，所述复位单元包括第二PMOS管和第三PMOS管，所述第二PMOS管的源极与所述第五NMOS管的漏极连接，所述第二PMOS管的漏极与所述第五NMOS管的栅极连接，所述第三PMOS管的源极与所述第六NMOS管的漏极连接，所述第三PMOS管的漏极与所述第六NMOS管的栅极连接，所述第二PMOS管和所述第三PMOS管的栅极均用于接收第五控制信号。其有益效果在于：能够实现电路的复位，避免电路未复位导致的信号不准确。
[0016]优选地，所述电流镜电路包括第四PMOS管和第五PMOS管，所述第四PMOS管的源极和所述第五PMOS管的源极均连接工作电压，所述第四PMOS管的漏极连接所述第五NMOS管的漏极，所述第五PMOS管的漏极连接所述第六NMOS管的漏极，所述第四PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极连接，且所述第四PMOS管的栅极和漏极短接。
[0017]本专利技术还提供了一种读出电路，应用于CMOS图像传感器，包括：
[0018]至少一个比较电路；以及
[0019]与所述比较电路相适配的计数器电路，所述计数器电路与所述比较电路一一对应连接。
[0020]所述读出电路的有益效果在于：能够有效的降低漏电流对电路的影响。
[0021]本专利技术还提供了一种图像传感器电路，包括：
[0022]像素阵列单元，用于感光后输出像素信号；
[0023]行选译码驱动单元，与所述像素阵列单元连接，用于驱动所述像素阵列单元；
[0024]斜波发生单元，用于产生斜波信号；
[0025]读出电路，与所述斜波发生单元和所述像素阵列单元连接，用于比较所述像素信号和所述斜波信号并计数，以输出数字信号；
[0026]输出信号处理单元，与所述读出电路连接，以将所述数字信号转化为图像并输出；
[0027]时序控制单元，与所述行选译码驱动单元、所述斜波发生单元、所述读出电路以及所述输出信号处理单元连接，用于向所述行选译码驱动单元、所述斜波发生单元、所述读出电路以及所述输出信号处理单元发送时钟信号。
[0028]所述图像传感器电路的有益效果在于：能够有效的降低漏电流对电路的影响。
[0029]优选地，所述像素阵列单元包括至少一个像素单元，所述像素单元包括第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、第十一NMOS管以及光电二极管，所述第八NMSO管的漏极连接工作电压，所述第八NMOS管的源极连接所述第九NMOS管的栅极和所述第十NMOS管的漏极，所述第八NMOS管的栅极用于接收第六控制信号，所述第十NMOS管源极与所述光电二极管的
负极连接，所述第十NMOS管的栅极用于接收第七控制信号，所述光电二极管的正极接地，所述第九NMOS管的漏极连接工作电压，所述第九NMOS管的源极与所述第十一NMOS管的漏极连接，所述第十一NMOS管的栅极用于接收第八控制信号，所述第十一NMOS管的源极与所述读出电路连接，以将所述像素信号发送给所述读出电路。其有益效果在于：便于产生像素信号。
附图说明
[0030]图1为本专利技术图像传感器电路的电路示意图；
[0031]图2为本专利技术一些实施中像素单元的电路示意图；
[0032]图3为本专利技术一些实施例中像素单元的时序示意图；
[0033]图4为现有技术中比较电路的电路示意图；
[0034]图5为本专利技术一些实施例比较电路的电路示意图；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种二级放大电路，其特征在于，包括：二级放大单元，包括第一PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和第一电容，所述第一PMOS管的源极连接工作电压，所述第一PMOS管的栅极用于接收比较器的一级放大单元的输出信号，所述第一PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极连接，所述第一NMOS管的源极接地，所述第一NMOS管的栅极与所述第二NMOS管源极和所述第一电容的一端连接，所述第一电容的另一端接地，所述第二NMOS管的栅极用于接收第一控制信号；以及漏电补偿单元，与所述第一电容连接，用于与所述第一电容共享电荷，以补偿所述第一电容因漏电流流失的电荷。2.根据权利要求1所述的二级放大电路，其特征在于，所述漏电补偿单元包括第三NMOS管、第四NMOS管和第二电容，所述第三NMOS管的漏极连接工作电压，所述第三NMOS管的栅极用于接收第二控制信号，所述第三NMOS管的源极连接所述第四NMOS管的源极和所述第二电容的一端，所述第二电容的另一端接地，所述第四NMOS管的漏极与所述第二电容的一端连接，所述第四NMOS管的栅极用于接收第三控制信号。3.一种比较电路，应用于CMOS图像传感器，其特征在于，包括：如权利要求1或2所述的二级放大电路；以及一级放大单元，包括电流镜电路、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第三电容和第四电容，所述第五NMOS管的漏极和所述第六NMOS管的漏极分别与所述电流镜电路的两个电流输出端连接，所述第五NMOS管的栅极与所述第三电容的一端连接，所述第三电容的另一端用于接收斜波信号，所述第六NMOS管的栅极连接所述第四电容的一端，所述第四电容的另一端用于接收像素信号，所述第五NMOS管的源极和所述第六NMOS管的源极均与所述第七NMOS管的漏极连接，所述第七NMOS管的源极接地，所述第七NMOS管的栅极用于接收第四控制信号，所述第六NMOS管的漏极还与所述二级放大电路连接，以向所述二级放大电路输出数据。4.根据权利要求3所述的比较电路，其特征在于，所述一级放大单元还包括复位单元，所述复位单元包括第二PMOS管和第三PMOS管，所述第二PMOS管的源极与所述第五NMOS管的漏极连接，所述第二PMOS管的漏极与所述第五NMOS管的栅极连接，所述第三PMOS管的源极与所述第六NMOS管的漏极连接，所述第三PMO...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡化，陈正，高菊，陈飞，芮松鹏，夏天，
申请(专利权)人：成都微光集电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：