比较电路、读出电路及图像传感器制造技术

本发明专利技术提供了一种比较电路，应用于CMOS图像传感器，包括第一比较器、第二比较器、开关单元和预判逻辑单元，所述开关单元的另一端接工作电压，用于控制所述第一比较器进入开启状态或关闭状态，所述预判逻辑单元的第一输入端与所述第一比较器的输出端连接，所述预判逻辑单元的第二输入端与所述第二比较器的输出端连接，用于接收所述第一比较信号和第二比较信号，以根据所述第一比较信号和所述第二比较信号输出控制所述开关单元导通或关断的开关控制信号，使得所述第一比较器的在开启状态和关闭状态之间切换，而无需实时处于开启状态，从而降低了所述第一比较器的功耗，降低了比较电路的功耗。本发明专利技术还提供了一种读出电路和图像传感器。传感器。传感器。

【技术实现步骤摘要】
比较电路、读出电路及图像传感器


[0001]本专利技术涉及图像传感器
，尤其涉及一种比较电路、读出电路及图像传感器。

技术介绍

[0002]传统CMOS图像传感器(CMOS image sensor，CIS)结构中，单积分模数转换电路(Single Slope Analog
‑
to
‑
Digital Converter，SS
‑
ADC)的功耗主要来自于比较器的静态电流，SS
‑
ADC即CIS的读出电路。而为了保证模数转换的速度、精度，比较器的静态电流大约在5μA，且在CIS工作期间，比较器一直处于开启状态。若CIS处理图像的规格为1000列、1000行，即100万像素，则有1000列的SS
‑
ADC，则比较器总的静态电流为5mA。若达到800万像素，则有4000列的SS
‑
ADC，则比较器总的静态电流将达到20mA。对于低功耗的应用来说，20mA的静态电流会导致功耗过高，从而使得CIS的应用受到极大的限制。/>[0003]因此本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种比较电路，应用于CMOS图像传感器，其特征在于，包括：第一比较器，用于接收像素信号和第一斜波信号，以输出第一比较信号，所述第一比较信号作为所述比较电路的输出信号；第二比较器，为动态比较器，用于接收所述像素信号和第二斜波信号，以输出第二比较信号，其中，所述第一斜波信号相对于所述第二斜波信号滞后阈值时间，且所述第一斜波信号的信号范围、斜率、电位与所述第二斜波信号的信号范围、斜率、电位完全相同；开关单元，所述开关单元的一端连接所述第一比较器的工作电压端，所述开关单元的另一端接工作电压，用于控制所述第一比较器进入开启状态或关闭状态，所述第一比较器的接地端接地；以及预判逻辑单元，所述预判逻辑单元的第一输入端与所述第一比较器的输出端连接，所述预判逻辑单元的第二输入端与所述第二比较器的输出端连接，用于接收所述第一比较信号和第二比较信号，以根据所述第一比较信号和所述第二比较信号输出控制所述开关单元导通或关断的开关控制信号。2.根据权利要求1所述的比较电路，所述预判逻辑单元为组合逻辑电路。3.一种读出电路，应用于CMOS图像传感器，其特征在于，包括：如权利要求1或2所述的比较电路，以及计数器，所述计数器与所述第一比较器的输出端连接，用于输出数字信号。4.一种图像传感器，其特征在于，包括：像素阵列单元，用于感光后输出像素信号；行选译码驱动单元，与所述像素阵列单元连接，用于驱动所述像素阵列单元；斜波发生单元，用于产生第一斜波信号和第二斜波信号，所述第一斜波信号相对于所述第二斜波信号滞后阈值时间，且所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡化，陈正，陈飞，芮松鹏，夏天，
申请(专利权)人：成都微光集电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：