增强塑料封壳对含铜引线底板的附着力的方法技术

通过将引线底板在低于其退火温度的温度下（如室温到１００℃）暴露于活性氧环境（如１０－３０％的Ｈ－［２］Ｏ－［２］）几分钟。增强了塑料封壳对含有相当大量的铜的引线底板的附着。没有必要去除原有的氧化物。事先的除油步骤是可取的但并非必须，这种处理增强了引线底板上所有的原有氧化物，而又不会产生厚得足以影响后续的电子元件或连接导线在引线底板上的连接。由从－６５到１５０℃的温度循环变化所致的引线底板与塑料封壳之间的脱层显著减少。（*该技术在2010年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及安装在含铜引线底板上的塑封电气器件的制造方法，更具体地说，涉及一种增强塑料封壳在引线底板上附着能力以减少发生从底板上脱层的方法。在电气工业，尤其是在电子工业中，含铜引线底板被大量用作电气元件尤其是半导体元件的基座。塑料封壳则被用来为制成的器件提供环境保护。功率晶体管或可控硅是采用含铜引线底板的塑封器件的典型例子子。一个带有所需的晶体管或可控硅半导体芯片，安装在引线底板的芯片台面部分，而各种连接导线跨接在芯片接点与引线底板接点之间间。然后将塑料浇注在引线底板上包括半导体芯片和连接导线的部分，以提供机械的和环境的保护。在许多情况下，尤其是在功率器件的情况下，为了能有效地散热，芯片台面具有一个较大的平面面积。通常这个大的芯片台面伸出塑料封壳以外和/或有一个表面暴露出来，从而可以方便地安装在一个散热器上。在其它情况下，这个大面积芯片台面完全为塑料所包封来为其提供完全的电气绝缘。与这些及其它带有相对较大的平面金属区域的塑封器件有关的一个特殊问题是塑料封壳从底板上脱层。在典型情况下，脱层出现在温度循环变化(如-65到150℃)之后，并且是由塑料封壳与引线底板之间的差热膨胀系数本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种减少塑封电气元件脱层的方法，其特征在于：提供一个带有用于外部连接的第一部分和承载电气元件的第二部分的引线底板，其中第二部分的某些部分有裸露的铜和裸露的镍；将该引线底板在低于其退火温度的温度下暴露于一种液体或等离子体氧化剂中，以在 一次操作中间同时氧化裸露的铜并清洁裸露的镍；以及然后将引线底板第二部分的那些部分封装在塑料封壳内。

【技术特征摘要】
US 1989-3-14 07/322,8451.一种减少塑封电气元件脱层的方法，其特征在于提供一个带有用于外部连接的第一部分和承载电气元件的第二部分的引线底板，其中第二部分的某些部分有裸露的铜和裸露的镍；将该引线底板在低于其退火温度的温度下暴露于一种液体或等离子体氧化剂中，以在一次操作中间同时氧化裸露的铜并清洁裸露的镍；以及然后将引线底板第二部分的那些部分封装在塑料封壳内。2.权利要求1中的方法，其中的提供步骤包括提供一个第二部分，其中第二部分的某些部分有裸露而光洁的铜和裸露的镍，暴露步骤包括将引线底板暴露于10-30%的H2O2溶液中1-30分钟。3.权利要求1中的方法，其中的暴露步骤是在大约100℃以下的温度下进行的。4.权利要求1中的方法，其中的氧化剂基本上是不含氯的。5.权利要求1中的方法，其中的暴露步骤包括将引线底板暴露于含氧等离子体中。6.一种处理电子器件用引线...

【专利技术属性】
技术研发人员：基思戈登斯帕尼尔，德维恩利奥弗劳尔斯，
申请(专利权)人：莫托罗拉公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]