半导体器件的制造方法技术

一种包括硅化物氧化过程的半导体器件的制造方法，包括下列各步骤：通过依次在半导体衬底上形成栅绝缘层、第１含硅导电层，和硅化物层而形成多硅化物结构；在氧和氯化氢气体的气氛中进行干法氧化，在整个所得结构的表面上形成氧化硅层。可获得没有结构缺陷的多硅化物结构的栅极连线或互连层，从而改进了半导体器件的可靠性和成品率。（*该技术在2013年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种，更具体地说，涉及一种氧化硅化物的方法，该硅化物是用以减小半导体器件内的互连电阻率的。随着半导体器件集成工艺技术的发展而实现了VLSI的特点，尤其是，随设计规则继续按比例缩小(至1μm或更小)，降低伴随互连线而来的电阻和电容的需要就变得愈加迫切。这点对MOS器件尤为突出，其中因互连线产生的RC延迟会超过电路工作时门开关的延迟时间。互连R×C(电阻×电容)的乘积越高，这种延迟对电路的工作速度就会有更严重地限制。所以，为了制造高密度高性能的器件，低电阻率互连线是个关键。近来，有许多种把互连线电阻率至小于多晶硅所显示的15-30Ω/的方法。其中的一个方法是用低电阻率的铝替换互连材料。然而，由于铝的熔点和共熔点温度低，所有的后继工艺过程的温度都必须保持低于500℃。由于几种工艺过程(例如，源漏区注入退火、氧化以及玻璃塑流/回流)都要在高于500℃的温度下进行，所以，铝不宜用作互连材料。降低互连线电阻率的另一种方法是用难熔金属(如，W、Ta、Ti或MO)或由硅和一种难熔金属组成的难熔金属硅化物(如，WSi2、TiSi2、MoSi2或TaSi2)取代多晶硅，并直接用作互连本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，包括下列各步骤：通过依次在半导体衬底上形成栅绝缘层、第１含硅导电层，和硅化物层而形成多硅化物结构；以及通过在氧和氯化氢气体的气氛中干法氧化，在所得结构的整个表面上形成氧化硅层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】KR 1992-9-26 17608/921.一种半导体器件的制造方法，包括下列各步骤通过依次在半导体衬底上形成栅绝缘层、第1含硅导电层，和硅化物层而形成多硅化物结构；以及通过在氧和氯化氢气体的气氛中干法氧化，在所得结构的整个表面上形成氧化硅层。2.如权利要求1所限定的半导体器件的制造方法，其中，所述第1导电层包括多晶硅。3.一种氧化多硅化物结构的硅化物层的方法，包括下列各步骤将通过依次形成栅绝缘层、第1含硅导电层和硅化层而形成了多...

【专利技术属性】
技术研发人员：金守官，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]