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一种包括硅化物氧化过程的半导体器件的制造方法，包括下列各步骤：通过依次在半导体衬底上形成栅绝缘层、第１含硅导电层，和硅化物层而形成多硅化物结构；在氧和氯化氢气体的气氛中进行干法氧化，在整个所得结构的表面上形成氧化硅层。可获得没有结构缺陷的多...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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