【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种光电导膜及其制备方法，尤其是涉及一种高灵敏度和快响应速度的cds和cdse混合光电导膜及其制备方法。某些半导体材料吸收光子激发的载流子，从而改变材料电导率的现象称为光电导效应。具有光电导效应的材料制成的薄膜叫光电导膜，它在太阳电池、薄膜三极管和液晶光阀等光电子器件中具有重要的应用价值。常用的可见光区的光电导膜有cds和cdse。cds光电导膜亮暗电导比大，空间分辨率高，但响应时间慢(50～100ms)，且由于其光谱响应曲线呈尖峰状(波出约510nm)，白光灵敏度不高。cdse与cds同属硫属化合物半导体，所以与cds有很多相似之处，但cdse的禁带宽度比cds小，光电响应峰值波长也比cds长，故白光灵敏度比cds高，响应速度可达10ms以下，但空间分辨率上略有欠缺。常用的杂质是Cu或Ag等，它对改善暗电阻、亮暗电导比、响应速度等都有很大的作用。从原理上讲，Cl，Br，I，Al，Ga，In等均可作施主杂质，而Cu，Ag，Cd等可作受主杂质。选择任何一种施主或受主杂质都可大大增加暗电阻和亮暗电导比。常用的制备方法包括a.采用高纯的cds或cds...
【技术保护点】
一种高灵敏度的光电导膜，其特征在于采用ｃｄｓ和ｃｄｓｅ渐变混合膜，同时掺入双重杂质Ｃｌ和Ｃｕ。
【技术特征摘要】
1.一种高灵敏度的光电导膜，其特征在于采用cds和cdse渐变混合膜，同时掺入双重杂质Cl和Cu。2.根据权利要求1所述的一种高灵敏度的光电导膜，其特征在于所说的cds和cdse渐变混合膜的重量比为cds∶cdse＝3∶1，其杂质克分子浓度为Cl∶Cu＝3∶2。3.一种高灵敏度的光电导膜的制备方法，它包括a.选择高纯cds或cdse材料，并与某种杂质均匀混合;b.采用热蒸发将cds和cdse淀积在基板上;c.淀积条件真空度1×10-3Pa...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。