制造PN结的技术制造技术

本发明专利技术是使Ｐ型含氮ＣＺ－Ｓｉ单晶片经过二个不同的热处理工艺过程生成ＰＮ结的技术。让Ｐ型含氮ＣＺ－Ｓｉ单晶片在３００－５００℃温度下退结的表面位置处，利用各种高温表面瞬时退火技术进行高温表面瞬时退火，使此表面所在区域重新回复原来的Ｐ型导电类型，从而在这区域以Ｎ型基片的界面处生成一个ＰＮ结。利用本技术可以实现不需另外掺入Ｎ型杂质，在较低热处理温度下可控地制造各种不同要求的ＰＮ结。（*该技术在2012年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是硅半导体器件和集成电路制造的一个生产工艺。本专利技术属于半导体器件和集成电路制造的
PN结是许多半导体器件和集成电路的核心。目前，半导体器件和集成电路中的PN结均是采用扩散掺杂技术或离子注入掺杂技术。夏海良，张安康等编《半导体器件制造工艺》第四章P.6，上海科学技术出版社，(1986);庄同曾，张安康，黄兰芳编《集成电路制造技术》第四章p.130，电子工业出版社(1987);和Sorab·K·Ghandhi“VLSIFabricationPrinciples”，Chap.4p.111andChap.6，p.299.AWaley-IntersciencePublication，NewYork(1983)。利用这些技术制造PN结，需要在硅基片内掺入不同的N型施主杂质或P型受主杂质。此外，利用扩散工艺掺杂，需要在高温条件下，掺入所需的N型或P型杂质，因而难以精确控制掺杂浓度和结深;离子注入掺杂则会使基片内部产生晶格畸变，影响器件的电学特性，且设备复杂，价格昂贵，难以制造深结器件。本专利技术的目的是利用P型含氮CZ-Si单晶本身所含杂质在热处理时的变化行为，实现不需本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种利用二步退火制造ＰＮ结的技术。本专利技术的特征是首先使Ｐ型含氮ＣＺ－Ｓｉ单晶片在（３００－５００℃）的温度下退火４－１５０小时，整体反型成Ｎ型基片；然后在此基片预定制造ＰＮ结的表面位置，利用高温（８００－１１００℃）表面瞬时退火，使表面所在区域回复原来的Ｐ型导电类型，从而在此区域与Ｎ型基片的界面处生成一个ＰＮ结。

【技术特征摘要】
1.一种利用二步退火制造PN结的技术。本发明的特征是首先使P型含氮CZ-Si单晶片在(300-500℃)的温度下退火4-150小时，整体反型成N型基片；然后在此基片预定制造PN结的表面位置，利用高温(800-1100℃)表面瞬时退火，使表面所在区域回复原来的P型导电类型，从而在此区域与N型基片的界面处生成一个PN结。2.根据权利要求(1)所述的PN结制造技术，其特征在于采用激光退火技术，对N型基片进行表面高温瞬时退火处理，使表面所在区域回...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈畅生，李承芳，曾繁清，
申请(专利权)人：武汉大学，
类型：发明
国别省市：83[中国|武汉]