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本发明是使Ｐ型含氮ＣＺ－Ｓｉ单晶片经过二个不同的热处理工艺过程生成ＰＮ结的技术。让Ｐ型含氮ＣＺ－Ｓｉ单晶片在３００－５００℃温度下退结的表面位置处，利用各种高温表面瞬时退火技术进行高温表面瞬时退火，使此表面所在区域重新回复原来的Ｐ型导电类型...
该专利属于武汉大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉大学授权不得商用。

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