一种使用键合技术的发光二极管制造方法技术

这种发光二极管的制造方法，其主要特征在于，使用键合工艺时采用导热性良好、导电性差的热沉基板（如氮化铝陶瓷）。热沉键合后，Ｐ电极和Ｎ电极在ＬＥＤ的同侧。本发明专利技术提出的器件结构有利于增加芯片的散热能力，能有效控制芯片工作时的温度。它不但提高芯片的可靠性，而且有助于增大注入电流密度，增加芯片亮度。两个电极在芯片的同侧，还有利于多芯片模组在恒定电流条件下工作。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种使用键合技术的发光二极管芯片(LED)制造方法，尤其涉及一种蓝、绿光外延层与 导热衬底键合后制造的两个电极在芯片同侧的发光二极管芯片制造方法。该结构通过提高芯片的散热能 力，达到控制芯片工作时的温度，有利于提高芯片的可靠性，而且还有助于增大注入电流密度，提高芯片 亮度。另外，两个电极在芯片的同侧，有利于使用现有普通LED芯片的测试、分选设备实现测试、分选， 这种结构对于应用过程中实现多芯片模组在恒定电流条件下工作是非常必要的。
技术介绍
采用键合(bonding)技术的蓝、绿光发光二极管(LED)制造方法通常有两种方案 一种是利用氢化物气相外延(HVPE)技术生长氮化镓(GaN)衬底，再在此基础上生长蓝、绿光氮化镓 外延层结构，接着在氮化镓外延层上制造接触反光层，然后蒸镀焊料，与导电硅基版键合，硅基版上制作 P电极，氮化镓衬底上制作N电极，如附图说明图1所示。图中1是N电极；2是n型GaN; 3是多量子阱发光层； 4是p型GaN; 5是接触、反光金属层；6是焊料层；7是硅基板；8是背金层。另一种情况是在蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层，先在氮化镓外延层上镀上接触、反光本文档来自技高网...

【技术保护点】
这种发光二极管的制造方法，其主要特征在于，使用键合技术时采用导热性良好、导电性差的热沉基板（比如氮化铝陶瓷或者类似材料），或者是在导热性良好的金属材料上生长一层很薄且不导电的复合热沉基板。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈祖辉，
申请(专利权)人：陈祖辉，
类型：发明
国别省市：92[中国|厦门]