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这种发光二极管的制造方法，其主要特征在于，使用键合工艺时采用导热性良好、导电性差的热沉基板（如氮化铝陶瓷）。热沉键合后，Ｐ电极和Ｎ电极在ＬＥＤ的同侧。本发明提出的器件结构有利于增加芯片的散热能力，能有效控制芯片工作时的温度。它不但提高芯片的...
该专利属于陈祖辉所有，仅供学习研究参考，未经过陈祖辉授权不得商用。

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