去除硅中的杂质及提高其少数载流子寿命的方法技术

一种用于提高受到过渡金属尤其是铁污染的硅本体的少数载流子复合寿命的方法。将所述硅本体在某一温度下存放一段时间，所述的存放温度和存放时间足以使这些金属从硅本体的体内区域扩散到其表面层，从而明显可测地提高少数载流子复合寿命。（*该技术在2013年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于制造半导体器件的硅和硅片，还涉及通过减少铁污染来提高硅中的少数载流子复合寿命的方法。硅本体的少数载流子复合寿命与少数载流子扩散长度是相互关联的，因此，这两个术语有时候可以互换。在P型硅中，少数载流子扩散长度与少数载流子复合寿命的关系由下式表示Ld＝((Dn)(tn))0.5式中，Ld是少数载流子扩散长度(cm)，Dn是电子扩散系数，取值为35cm2/秒，tn是少数载流子复合寿命(秒)。在n型硅中，少数载流子扩散长度与少数载流子复合寿命的关系由下式表示Ld＝((Dp)(tp))0.5式中，Ld是少数载流子扩散长度(cm)，Dp是空穴扩散系数，取值为12.5cm2/秒，tp是少数载流子复合寿命(秒)。硅片的少数载流子复合寿命(或少数载流子扩散长度)可以采用各种不同的方法测定，通常是，借助于闪光或电压脉冲将截流子注入硅样片中，然后观测它们的消失情况。用于测定少数载流子复合寿命的方法之一是表面光生伏特法(SPV)，该方法记载在ZothandBergholz，J.Appl.Phys.，67，6764(1990)中。另外，还可以采用GeMeTeC公司(慕尼黑，德国)制造的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于提高遭受金属污染的硅本体中的少数载流子复合寿命的方法，所述的金属选自铁、铬、钴、锰、锌、钒，该方法的特征在于，将上述硅本体在某一温度下存放一段时间，所述的存放温度和存放时间足以使这些金属从硅本体的体内部分扩散到其表面层，从而明显可测地提高硅本体的少数载流子复合寿命，存放时间至少是约４８小时。

【技术特征摘要】
IT 1992-9-26 92A000687;US 1992-11-3 971,0561.一种用于提高遭受金属污染的硅本体中的少数载流子复合寿命的方法，所述的金属选自铁、铬、钴、锰、锌、钒，该方法的特征在于，将上述硅本体在某一温度下存放一段时间，所述的存放温度和存放时间足以使这些金属从硅本体的体内部分扩散到其表面层，从而明显可测地提高硅本体的少数载流子复合寿命，存放时间至少是约48小时。2.权利要求1的方法，其中，所述硅本体是光生伏特电池的元件。3.权利要求1的方法，其中，所述的硅本体是硅片，所述金属是铁，该方法的特征还在于，将硅片在某一温度下存放一段时间，所述的存放温度和时间足以使来自硅片中与硅片表面的距离大于硅片厚度的10%的体内区域的铁扩散到表面层，存放温度不足以使硅中产生与氧有...

【专利技术属性】
技术研发人员：R法尔斯特，
申请(专利权)人：MEMC电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：IT[意大利]