【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种工业硅分离杂质的方法，其特征在于包括以下步骤：（1）在真空环境下将洗净后的工业硅原料加热至1450～1550℃，使其熔化成硅液并保温；（2）调节加热温度至1350～1400℃，并且旋转坩埚，使得熔点低于硅的液态金属杂质在离心力作用下沿着硅晶体的晶界向坩埚内壁聚集；（3）关闭加热器，持续旋转坩埚，直至液态金属杂质在坩埚内壁上凝固；（4）冷却到室温，取出提纯后的工业硅铸锭。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：安广野，谭毅，姜大川，
申请(专利权)人：青岛隆盛晶硅科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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