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去除硅中的杂质及提高其少数载流子寿命的方法技术
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文档序号:3223314
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一种用于提高受到过渡金属尤其是铁污染的硅本体的少数载流子复合寿命的方法。将所述硅本体在某一温度下存放一段时间,所述的存放温度和存放时间足以使这些金属从硅本体的体内区域扩散到其表面层,从而明显可测地提高少数载流子复合寿命。...
该专利属于MEMC电子材料有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过MEMC电子材料有限公司授权不得商用。
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