硅片直接键合方法技术

硅片直接键合方法适用于硅片之间的直接化学键合，它将经过镜面抛光的硅片在Ｈ↓［２］ＳＯ↓［４］和Ｈ↓［２］Ｏ↓［２］混合液中煮，再在稀ＨＦ溶液中漂，用去离子水冲干净并在室温下甩干后即可重合，重合好的硅片快速投入高温炉中进行热处理，然后缓慢降温即可实现硅片直接键合，具有工艺和设备简单，重合速度快，键合周期短，键合面积大等优点，可用于多种材料的键合，便于在大量生产中推广应用。（*该技术在2012年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体直接键合
硅片直接键合(SDB)技术是由IBM公司及东芝公司首先开发的微电子和电力电子领域的重要新技术。它是将两片氧化或未氧化的硅片，实现直接的化学键合而形成整体，两硅片之间没有任何粘接剂。目前，国内外的，通常需要对氧化或未氧化的硅片进行专门的表面结合键增强处理，使键合工艺带来了复杂化。中国专利CN87108314提供了一种半导体直接键合的工艺方法，首先将经过镜面抛光好的氧化或未氧化过的两硅片进行表面结合键增强处理，采用等离子体对硅片表面进行激活，将硅片浸入酸性、碱性或分子型表面活性剂溶液中，使硅片表面亲水;然后将硅片清洗、烘干，再把硅片面对面地装入夹具中夹紧后，在200～500℃温度下烘焙30～60分钟;最后把初步键合的硅片去掉夹具，在1000～1200℃高温下恒温30～60分钟，实现扩散键合。这种键合工艺复杂，不仅需要化费大量的化学药品和时间等，而且在初步键合过程中会使两硅片之间产生空洞，这些空洞在高温键合中很难消除，因此难以得到大面积无空洞的键合硅片。本专利技术针对现有技术的不足，其目的在于提供一种工艺简单、操作方便的，它可以实现大面积无空洞的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于硅片之间实现直接化学键合的硅片直接键合方法，其特征在于将经过镜面抛光的硅片直接进行清洗甩干，再在室温下实现镜面紧密接触，使两硅片重合在一起，然后快速投入高温炉中进行热处理，恒温处理后再缓慢降温即可实现硅片的直接键合。

【技术特征摘要】
1.一种用于硅片之间实现直接化学键合的硅片直接键合方法，其特征在于将经过镜面抛光的硅片直接进行清洗甩干，再在室温下实实现镜面紧密接触，使两硅片重合在一起，然后快速投入高温炉中进行热处理，恒温处理后再缓慢降温即可实现硅片的直接键合。2.根据权利要求1所述的硅片直接键合方法，其特征在于高温热处理...

【专利技术属性】
技术研发人员：张会珍，童勤义，秦明，陈大金，黄庆安，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]