【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，特别是涉及在半导体基板上集成有晶体管和电阻及电容的半导体集成电路装置中的电容器的构造的改良。上述电容器把陶瓷薄膜用作电容器的绝缘膜，而上述陶瓷薄膜有着作为介电常数极其之大的材料而广为人知的钙钛矿(Perovskite)构造。随着信息通信领域的进步，人们要求高速处理大容量的数据。为了实现这一要求，半导体存储器之类的半导体集成电路的高集成化不断地发展进步。而且，以信息通信机器的小型化和降低造价为目的，借助于高集成化来实现的芯片面积的减小和部件数量的削减也在不断发展。在这样的状况下，近些年来，对在半导体集成电路上，用具有钙钛矿构造的陶瓷材料(比如钛酸钡锶，钛酸铅等等)形成电容器的技术的研究很活跃。一般说，由用上述那种陶瓷材料形成的陶瓷薄膜构成的电容器绝缘膜的介电常数高，与在现有的集成电路装置内形成的氧化硅膜或氮化硅膜构成的电容器绝缘膜相比，有着几十倍—几百倍的介电常数。通过用由这样的陶瓷薄膜构成的电容器绝缘膜构成电容器，可以把半导体集成电路装置中电容器的占有面积降低到现有技术的几十分这一到几百分之一，故可以实现半导体集成电路装置的高集成化。此外，当...
【技术保护点】
一种半导体集成电路装置、 具备有 半导体基板和、 叠层电容器，该电容器由在上述半导体基板的一个主面上顺次形成的下部电极、具有钙钛矿构造的陶瓷薄膜构成的陶瓷电容器膜和上部电极构成； 上述上部电极的侧面位于比上述陶瓷电容器膜的侧面往里的位置上，同时，上述陶瓷电容器膜的侧面位于此上述下部电极的侧面往里的位置上； 在存在于上述上部电极的侧面和上述陶瓷电容器膜的上表面的交点与上述陶瓷电容器膜的侧面和下部电极的上表面的交点之间的上述陶瓷电容器膜的表面的长度Ｌ和上述陶瓷电容器膜的厚度Ｄ之间，Ｌ≥２Ｄ的关系成立。
【技术特征摘要】
JP 1995-6-13 146263/951.一种半导体集成电路装置、具备有半导体基板和、叠层电容器，该电容器由在上述半导体基板的一个主面上顺次形成的下部电极、具有钙钛矿构造的陶瓷薄膜构成的陶瓷电容器膜和上部电极构成；上述上部电极的侧面位于比上述陶瓷电容器膜的侧面往里的位置上，同时，上述陶瓷电容器膜的侧面位于此上述下部电极的侧面往里的位置上；在存在于上述上部电极的侧面和上述陶瓷电容器膜的上表面的交点与上述陶瓷电容器膜的侧面和下部电极的上表面的交点之间的上述陶瓷电容器膜的表面的长度L和上述陶瓷电容器膜的厚度D之间，L≥2D的关系成立。2.权利要求1的半导体集成电路装置中，存在于上述上部电极的侧面和上述陶瓷电容器膜的上表面的交点与上述陶瓷电容器膜的侧面和上述下部电极的上表面的交点之间的上述陶瓷电容器膜的表面，由上述陶瓷电容器膜的表面上的上述上部电极的侧面与上述陶瓷电容器膜的侧面与上述陶瓷电容器膜的侧面之间的第1区域，和由上述陶瓷电容器膜的侧面构成的第2区域构成。3.一种半导体集成电路装置它具有半导体基板和、叠层电容器，该电容器由在上述半导体基板的一个主面上顺次形成的下部电极、具有钙钛矿构造的陶瓷薄膜构成的陶瓷电容器膜以及上部电极构成；在上述叠层电容器的外缘部分的一部分区域中，上述上部电极的侧面位于比上述陶瓷电容器膜的侧面往里的位置上，同时，上述陶瓷电容器膜的侧面位于比下部电极的侧面往里的位置上，在存在于上述上部电极的侧面和上述陶瓷电容器膜的上表面的交点与上述陶瓷电容器膜的侧面和上述下部电极的上表面的交点之间的上述陶瓷电容器膜的表面的长度L1和上述陶瓷电容器膜的厚度D之间，L1≥2D的关系成立；在上述叠层电容器的外缘部分的其余的部分的区域中，上述上部电极的侧面位于与上述陶瓷电容器膜的侧面相同或比上述陶瓷电容器膜的侧面往里的位置上，同时，上述陶瓷电容器膜的外缘部分处于比上述下部电极往外的地方并被设于上述半导体基板的一个主面上；在存在于上述陶瓷电容器膜的侧面和上述半导体基板的一个主面的交点与上述下部电极的侧面和上述半导半体基板的一个主面的交点之间的上述陶瓷电容器膜的表面的长度L2和上述陶瓷电容器膜的厚度D之间，L2≥D的关系成立。4.在权利要求3的半导体集成电路装置中，存在于上述上部电极的侧面和上述陶瓷电容器膜的上表面的交点与上述陶瓷电容器膜的侧面和上述下部电极的上表面的交点之间的上述陶瓷电容器膜的表面，由上述陶瓷电容器膜的表面上的上述上部电极的侧面和上述陶瓷电容器膜的侧面之间的第1区域与由上述陶瓷电容器膜的侧面构成的第2区域...
【专利技术属性】
技术研发人员：野间淳史，上田大助，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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