半导体集成电路制造技术

一种半导体集成电路器件，其上安装有恒流电路，包括允许第１恒定电流流动的第１恒流源１０１；允许与第１恒流有不同大小的第２恒定电流流动的第２恒流源１０２；用第１恒定电流与第２恒定电流之差确定的第３恒定电流作恒流源，所述恒流电路中用于储存电荷的电容器、基准电压发生器电路和电压比较器电路相互连接，用所述恒定电路获得的极小恒定电流将电荷储存于电容器中，用电压比较器电路比较电容器的端子电压和基准电压发生器电路的输出电压。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用半导体器件制成的恒流电路，特别涉及其上安装有能获得高精度高稳定的极小恒定电流的恒流电路的半导体集成电路器件。本专利技术还涉及用半导体器件制成的定时电路，并特别涉及其上安装有能获得高精度高稳定的极长恒定时间信号的定时电路而且价格低廉的半导体集成电路器件。迄今为止，例如，用MIS(MOS)PET制成恒定电路时，用图11(a)所示恒流电路确定的恒定电流量将电荷储存在电容器中。注意，本说明书中将说明MOSFET的实例，即，以置于金属栅电极与半导体衬底之间的氧化硅膜绝缘层的MOSFET作为MISFET的典型例。两个p-型MOSFET807和808构成电流镜式电路803，p-型MOS-FET 807与n-型MOSFET801连接，p-型MOSFET808与储存电荷的电容器802连接。由于n-型MOSFET801的栅极加恒定偏置电压，因此，n-型MOSFET801用作恒流器件。所以，由n-型MOSFET801确定的恒定电流使电容器802储存电荷。而且，图11(b)所示实例中的恒流电路和图11(a)所示实例中的电容器连接电压比较器电路和基准电压发生器。例中，当重设信号变为“L”本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体集成电路器件，其特征是，其上安装有恒流电路，它包括第１恒流源和第２恒流源，第１恒流源与第２恒流源串联，第１恒流源允许恒定电流流动，第２恒流源允许与第１恒流源中流动的恒定电流不同的恒定电流流动；一个输出代表所述两个恒定电流之差的恒定电流的输出端。

【技术特征摘要】
JP 1996-5-17 123344/96;JP 1995-6-30 166313/951.一种半导体集成电路器件，其特征是，其上安装有恒流电路，它包括第1恒流源和第2恒流源，第1恒流源与第2恒流源串联，第1恒流源允许恒定电流流动，第2恒流源允许与第1恒流源中流动的恒定电流不同的恒定电流流动；一个输出代表所述两个恒定电流之差的恒定电流的输出端。2.按照权利要求1的半导体集成电路器件，其特征是，允许恒定电流流动的第1恒流源与允许与第1恒流源中流动的恒定电流不同的恒定电流流动的第2恒流源通过电流镜式电路被彼此并联，所述电流镜式电路包括分别具有至少一个控制端和两个主要电极端的两个半导体器件，所述两个半导体器件的控制端相互共连，各自两个主要电极端中的第1主要电极端彼此共连，其第2主要电极端分别连接所说第1恒流源和所说第2恒流源，并在所述第2恒流源和所述电流镜式电路的节点处设置输出端。3.按照权利要求1或2的半导体集成电路器件，其特征是，用耗尽型MISFET构成所述第1恒流源和所述第2恒流源，所述耗尽型MISFET的栅电极与其各个源电极的电位相同。4.按照权利要求2的半导体集成电路器件，其特征是，用增强型MISFET构成所述第1和第2恒流源，为了控制电流的大小，给所述增强型MISFET的各自的栅电极加恒定电压。5.按照权利要求1至4中任何一项的半导体集成电路器件，其特征是，用同一平面上具有不同杂质浓度的多个沟...

【专利技术属性】
技术研发人员：小西春男，浜口正直，宫城雅记，
申请(专利权)人：精工电子工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]