【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及薄膜制备
特别是制备双面超导薄膜材料的
超导微波器件是高温超导薄膜的重要应用之一,尤其是用钇钡铜氧高温超导薄膜制备无源微波器件更受到各国有关研究组的重视,而且发展很快。这类器件的核心部件是一块刻成特定图形的钇钡铜氧超导薄膜,在薄膜的另一面放置另一块超导薄膜或低电阻率的金属薄膜做为接地电极。这种结构的微波器件虽然取得了很大进展,但是仍然因为基片的微变形或金属电极的电阻而使器件的损耗较大。进一步降低微波损耗的重要途径是使用双面超导薄膜制备超导微波器件。制备双面超导薄膜需要用非接触加热的方法将基片加热,因为如果将基片与加热器的加热平面紧密接触,则镀完第一面后将样品翻过来镀第二面时第一面薄膜就会因与加热面之间的相互扩散,磨擦,以及缺氧而损坏。非接触加热方法通常有1.卤素灯加热器,2.空腔加热器,3.二氧化碳激光加热器,如(1)S.R.Foltyn,R.E.Muenchausen,R.C.Dye,X.D.Wu andD.W.Cook,Appl. Phys.Lett,59,11(1991).(2)B.Holzappfel,B.Roas,L. ...
【技术保护点】
一种在真空淀积薄膜设备中,先把真空室内抽真空至0.1Pa-10↑[-5]Pa,边抽真空边动态充氧或氧气与氩气混合气体,并保持真空度在1-100Pa之间,然后缓慢升高加热器电流辐射加热基片,当基片温度达到750至780℃时保温10至15分钟,开始淀积薄膜至所需厚度后,降温到退火温度400至500℃时保温10至15分钟后,再降至室温,在降温的同时升高气压至大气压,第一面镀膜完成后翻转基片重复上述镀膜过程淀积制备第二面薄膜的采用近距离辐射加热制备双面超导薄膜方法,其特征在于:还包括在真空室内安装一个平面辐射加热器,并将基片放在真空室内的位置与平面加热器的热辐射面之间距离在0.1-10mm之间。
【技术特征摘要】
1.一种在真空淀积薄膜设备中,先把真空室内抽真空至0.1Pa-10-5Pa,边抽真空边动态充氧或氧气与氩气混合气体,并保持真空度在1-100Pa之间,然后缓慢升高加热器电流辐射加热基片,当基片温度达到750至780℃时保温10至15分钟,开始淀积薄膜至所需厚度后,降温到退火温度400至500℃...
【专利技术属性】
技术研发人员:周岳亮,熊旭明,吕惠宾,崔大复,陈正豪,李春苓,刘彦巍,何萌,杨国桢,
申请(专利权)人:中国科学院物理研究所,
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]
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