具有浮动集电区的绝缘体上的硅器件制造技术

一种半导体器件包括：硅衬底（１），在所述硅衬底（１）上的绝缘层（２），在所述绝缘层（２）上的硅层（３），所述硅层（３）由第一导电类型（Ｎ）的杂质掺杂，从所述硅层（３）的自由表面延伸到所述硅层（３）内的基区（４），所述基区（４）由第二导电类型（Ｐ）的杂质掺杂，从所述基区（４）的自由表面延伸到所述基区（４）内的发射区（５），所述发射区（５）由所述第一导电类型（Ｎ）的杂质重掺杂，及至少一个从所述硅层（３）的自由表面延伸到所述硅层（３）中的集电区（６），该区距基区（４）一定横向距离，所述集电区（６）由所述第一导电类型（Ｎ）的杂质掺杂，设置于所述绝缘层（２）和所述基区（４）之间的所述硅层（３）中的浮动集电区（７），该区距所述基区（４）一定距离，所述浮动集电区（７）的横向伸展部分大于发射区（５）的横向伸展部分，而小于基区（４）的横向伸展部分，所述浮动集电区（７）以重于所述硅层（３）的掺杂量掺杂所述第一导电类型（Ｎ）的杂质。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件，该器件包括硅衬底；所述硅衬底上的绝缘层；所述绝缘层上的硅层，所述硅层由第一导电类型的杂质轻掺杂；从所述硅层的自由表面延伸到该硅层内的基区，所述基区由第二导电类型的杂质掺杂；从所述基区的自由表面延伸到该区内的发射区，所述发射区由所述第一导电类型的杂质重掺杂；并且至少一个从所述硅层的自由表面延伸到所述硅层中的集电区，该区与基区间有一横向距离，所述集电区由所述第一导电类型的杂质掺杂。
技术介绍
Andrej Litwin和Torkel Arnborg在1993年9月发表于ESSDERC’93的迟交论文快报(Late News Paper at ESSDERC’93)中的用于混合的高压和高密度集成电路应用的极紧凑的CMOS兼容的双极型绝缘体上的硅晶体管(“Extremely compact CMOS compatiblebipolar silicon-on-insulator transistor for mixed high voltage and highdensity integrated circuit applications”)及Andrej Li本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括： 硅衬底（１）， 在所述硅衬底（１）上的绝缘层（２）， 在所述绝缘层（２）上的硅层（３），所述硅层（３）由第一导电类型（Ｎ）的杂质轻掺杂， 从所述硅层（３）的自由表面延伸到所述硅层（３）内的基区（４），所述基区（４）由第二导电类型（Ｐ）的杂质掺杂， 从所述基区（４）的自由表面延伸到所述基区（４）内的发射区（５），所述发射区（５）由所述第一导电类型（Ｎ）的杂质重掺杂，及 至少一个从所述硅层（３）的自由表面延伸到所述硅层（３）中的集电区（６），该区与基区（４）间有一横向距离，所述集电区（６）由所述第一导电类型（Ｎ）的杂质掺杂，其特征在于： ...

【技术特征摘要】
SE 1994-10-31 9403722-3一种半导体器件，包括硅衬底(1)，在所述硅衬底(1)上的绝缘层(2)，在所述绝缘层(2)上的硅层(3)，所述硅层(3)由第一导电类型(N)的杂质轻掺杂，从所述硅层(3)的自由表面延伸到所述硅层(3)内的基区(4)，所述基区(4)由第二导电类型(P)的杂质掺杂，从所述基区(4)的自由表面延伸到所述基区(4)内的发射区(5)，所述发射区(5)由所述第一导电类型(N)的杂质...

【专利技术属性】
技术研发人员：TB阿恩博格，
申请(专利权)人：艾利森电话股份有限公司，
类型：发明
国别省市：SE[瑞典]