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一种半导体器件包括：硅衬底（１），在所述硅衬底（１）上的绝缘层（２），在所述绝缘层（２）上的硅层（３），所述硅层（３）由第一导电类型（Ｎ）的杂质掺杂，从所述硅层（３）的自由表面延伸到所述硅层（３）内的基区（４），所述基区（４）由第二导电类型...
该专利属于艾利森电话股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过艾利森电话股份有限公司授权不得商用。

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