【技术实现步骤摘要】
本专利技术总体上涉及一种制作半导体存储器件的存储单元中电容电介质的方法，特别是涉及一种制作高密度叠层动态随机存取存储器(DRAM)器件存储单元的电容电介质的低漏电流电极的方法。更具体地说，本专利技术涉及可在低压条件之下，在一冷壁化学气相反应器中沉积氧化钽，以炉管方式以大批量的退火制作高密度半导体存储器件的存储电介质的方法，其具有良好的电容与漏电流特性。高密度的半导体存储器件，特别是动态随机存取存储器(DRAM)，正被发展进入以十亿比特(giga-bit)为单位计的存储密度领域之中。现在密度以百万比特计的存储器件技术范畴中所使用的介电存储材料仍无法突破大约256M存储器件的密度。这主要是由于其存储单元中所能维持的电荷量，因不可避免的泄漏现象而在需要进行充电之前无法持续合理的时间。 在本
中，被考虑选用作为下一代十亿比特存储器件的存储介电材料中，诸如Ta2O5，由于其自有的高电容率(permittivity)以及优良的阶状覆盖(step coverage)特性，似乎是一种极适合的材料。不过，在利用目前的制作工艺而使用这类具高介电常数的材料作为存储单元的存储...
【技术保护点】
一种制作半导体存储器件的具有低漏电流特性的Ｔａ↓［２］Ｏ↓［５］薄膜电容电介质的方法，该方法的步骤包含：预备承载有一电极层的一半导体硅基底；在该电极层上沉积Ｔａ↓［２］Ｏ↓［５］的一层薄膜；与在Ｎ↓［２］Ｏ气体中对该Ｔａ↓［２］ Ｏ↓［５］薄膜进行退火处理。
【技术特征摘要】
1.一种制作半导体存储器件的具有低漏电流特性的Ta2O5薄膜电容电介质的方法，该方法的步骤包含预备承载有一电极层的一半导体硅基底；在该电极层上沉积Ta2O5的一层薄膜；与在N2O气体中对该Ta2O5薄膜进行退火处理。2.如权利要求1所述的方法，其中，该Ta2O5薄膜在大约800℃的温度下进行退火。3.如权利要求2所述的方法，其中，该Ta2O5薄膜持续进行退火大约30分钟。4.如权利要求3所述的方法，其中，该半导体硅基底为一n+型硅基底，或为一n+型多晶硅基底。5.如权利要求4所述的方法，其中，该电极层为NH3氮化多晶硅电极层。6.如权利要求5所述的方法，其中，该Ta2O5薄膜具有...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙喜，陈再富，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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