免蒸镀的硬式带式自动焊接封装方法技术

一种免蒸镀的硬式ＴＡＢ封装方法，主要是以一覆盖溶剂型干膜、覆盖水溶性干膜／半蚀刻、选择性镀镍金、去除溶剂型干膜／镀镍金、去除水溶性干膜／压合绝缘膜／蚀刻绝缘膜、补胶／镀锡球、蚀铜片／剥镍、除胶／加硬板、植芯片、灌胶等步骤组成，其中，通过对底部支撑铜片进行半蚀刻与选择性镀镍金的步骤后，即形成供芯片连结的电镀凸点，可改善传统溅镀形成凸点的作业缓慢问题，以形成一种新型态的硬式ＴＡＢ封装方法。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种免蒸镀的硬式TAB封装方法，尤指一种可降低封装作业复杂度及提高作业效率的TAB包装型式的集成电路的封装方法。现今TAB(TAPE AUTOMATED BONDING)集成电路封装型式，是一种可形成比SMT封装更窄的接脚间距(PITCH)(约在0.25～0.3mm)的集成电路外包装型态，以使集成电路的封装体积大幅缩小，然而现有的TAB封装方式上，具有制程过于复杂、作业缓慢与良率较低的各项缺点，现概略说明其如下。如图4A-J所示，在图4A中，首先是进行一 单面干膜线路形成 的步骤，此步骤是在附着有铜箔71的软板70上覆盖干膜72，然后于图4B的 填充胶蚀铜作线路 的步骤，是在该软板70的中央的凹孔内填入填充胶73以提供适当的支撑作用下，再对该未被干膜72覆盖的位置进行下方铜箔71的蚀刻，以使铜箔71转变为线路，其次，如图4C所示，去除覆盖在外表面的干膜72，而在图4D的 压合聚醯氨膜 的步骤中，则对该已形成线路的铜箔进行覆盖聚醯氨膜74，以使铜箔71完全包覆于内，其次，则如图4E的压合一蚀刻膜75(干膜)，以供进行如图4F的对前述聚醯氨膜74外露的部份蚀刻，以形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种免蒸镀的硬式ＴＡＢ封装方法，其特征在于：其包括一在铜片上覆盖供界定线路区域的内层干膜的步骤，一在表面再行覆盖另一不同材料以供后续形成电镀凸点的外层干膜的步骤，一在前述内、外两层干膜的贯通至铜片位置进行选择性地电镀形成电镀凸点 的步骤，一仅去除外层干膜，而在内层干膜所界定的区域形成电镀线路层的步骤，一去除内层干膜／压合聚醯胺膜／蚀刻聚醯胺膜，而仅在铜片中央位置呈外露的步骤，一在铜片中央以填充胶补满以及于上表面金属区域镀锡球的步骤，一蚀刻去除位在底层 的铜片的步骤，一去除填充胶以及于底面外围位置加入硬板的步骤，及依次于悬空的电镀凸点位置进行安...

【技术特征摘要】
1.一种免蒸镀的硬式TAB封装方法，其特征在于其包括一在铜片上覆盖供界定线路区域的内层干膜的步骤，一在表面再行覆盖另一不同材料以供后续形成电镀凸点的外层干膜的步骤，一在前述内、外两层干膜的贯通至铜片位置进行选择性地电镀形成电镀凸点的步骤，一仅去除外层干膜，而在内层干膜所界定的区域形成电镀线路层的步骤，一去除内层干膜/压合聚醯胺膜/蚀刻聚醯胺膜，而仅在铜片中央位置呈外露的步骤，一在铜片中央以填充胶补满以及于上表面金属区域镀锡球的步骤，一蚀刻去除位在底层的铜片的步骤，一去除填充胶以及于底面外围位置加入硬板的步骤，及依次于悬空的电镀凸点位置进行安装芯片、灌胶的步骤。2.根据权利要求1所述的免蒸镀的硬式TAB封装方法，其特征在于在覆盖该外层干膜之后，还包括一对铜片进行选择性蚀刻，形成凹槽的步骤。3.根据权利要求1或2所述的免蒸镀的硬式TAB封装方法，其特征在于该电镀凸点是依序以镀镍及镀金两种材料叠合而成。4.根据权利要求1或2所述的免蒸镀的硬式TAB封装方法，其特征在于该电镀线路层是以镀镍及镀铜两种材料叠合而成。5.根据权利要求1或2所述的免蒸镀的硬式TAB封装方法，其特征在于该蚀刻去除底部铜片的步骤中，还包括一剥离镍层的步骤。6.根据权利要求1或2所述的免蒸镀的硬式TAB封装方法，其特征在于该内层干膜为溶剂型干膜。7.根据权利要求1或2所...

【专利技术属性】
技术研发人员：林定皓，
申请(专利权)人：华通电脑股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]