半导体晶片的湿法处理装置制造方法及图纸

一种在处理液中浸洗半导体晶片的湿法处理装置。该装置包括处理箱，围绕处理箱的排放槽、处理箱中的流量控制板、向处理箱供应处理液的供应管、从排放槽带走处理液的排放管。该装置中的任何两壁皆以具有弧度的曲面相连，所述弧度足以减小曲面处污物的聚集。管道以弯曲环面与壁相连，任何两壁皆具有弧度，该弧度足以减小弯曲环面处的磨蚀。曲面可以由近似曲面代替，只要近似曲面的弧度足以减少聚集／磨蚀即可。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体晶片的湿法处理装置，特别涉及一种用于如半导体器件制造期间清洗晶片的湿法处理的半导体晶片湿法处理装置。半导体器件的制造中，半导体晶片的清洗技术变得重要。用于清洗半导体晶片的半导体晶片常规湿法处理装置使用的是溢流法。晶片放入处理箱内，处理箱的构成是使处理液(如清洗水)从其底部引入，处理液的水平面上升，直到将晶片浸没以便湿法处理晶片为止。图1是展示半导体晶片常规湿法处理装置的透视图，图2是沿图1中的线A-A′取的剖面图，图3是沿图1中的线B-B＇取的剖面图。如图1、2和3所示，常规装置包括处理箱11，处理箱的构成是处理液供应管12与其底部11-1相连，以向处理箱11中提供处理液(如清洗水或清洗液)，所提供的处理液溢流出其侧壁11-2。半导体晶片10放在处理箱11中。一般情况下，多片半导体晶片10装在晶片托架15上，再装入处理箱11中。排放槽14形成于处理箱11的侧壁11-2周围，其底部与排放管13相连。排放管13通过泵16和过滤器17与处理液供应管12相连，以通过过滤器17净化排放出的处理液。由此，排出的处理液进行再循环。有一种常规湿法处理装置，其结构是其排放管与供应管不连接，从排放管排出的处理液便废弃掉。这种装置用于通过处理箱的处理液被严重污染的情况。标号18表示流量控制板，其上形成有孔，孔适当地均匀形成，从而使处理液流进处理箱11的每一部分。因此，装有多片晶片10的晶片托架15放入常规处理箱11后，通过供应管12供应的处理液(如清洗水)流入处理箱11内以湿法处理晶片。然后，处理液溢出处理箱11的侧壁11-2，进入排放槽。进入排放槽14的处理液通过排放管13排出，由泵16作用通过过滤器17进行再循环。题为“ULSI超净技术第24期论文集”的出版物(1995年3月7-8，日本)和美国专利5370142中公开了上述常规装置。如图1、2和3所示，在常规装置中，处理箱侧壁11-2内侧相互间成直角，或侧壁11-2内侧与底部11-1内侧成直角相交，构成拐角部分。由此，污染物(如颗粒或残渣)附着于拐角处，构成污染源。从而污染处理液和晶片。如图3所示，上述常规装置中，在处理箱11和处理液供应管12交会处及排放槽14与排放管13交会处形成了锐利的突起部分19a和19b。处理液流过时突起的这些点发生磨蚀，增加了处理箱11中产生的污染物。在通过过滤器17净化处理液以进行再循环时，处理箱11中污染物增加减小了过滤器17的耐久性。本专利技术的目的是提供一种半导体晶片湿法处理装置，能够通过减少污染物的聚集和管线连接的磨蚀，来减少半导体晶片的湿法处理期间对晶片的污染。为实现本专利技术的目的，提供一种半导体晶片的湿法处理装置，半导体晶片放入其中进行处理，该装置包括处理液供应管和处理箱。处理箱的构成是其与处理液供应箱相连的底部、处理箱侧壁内侧彼此交会部位、及侧壁内侧与底部内侧交会部位皆为曲面。处理箱上表面敞开，可以使来自处理液供应管的处理液溢流出处理箱。排放槽围绕处理箱侧壁形成，排放管与排放槽底部相连。提供一种在处理液中浸洗半导体晶片的湿法处理装置，也可以实现本专利技术的目的。本专利技术的这种装置包括具有侧壁、底壁和第一接合部分的处理箱。每个第一接合部分以曲面连接处理箱的两壁，该装置还包括设置于处理箱内的流量控制板。该处理箱具有第二接合部分，每个以曲面连接处理箱的一壁与流量控制板。借助以弯曲环面连接处理箱的一壁与供应管的第三接合部分，将供应处理液的供应管与处理箱连接。供应管至少包括一个接合区，用于以弯曲环面连接供应管的相邻直线区。本专利技术的湿法处理装置还包括排放槽，该槽围绕处理箱的侧壁形成，具有外壁和底壁。处理箱的侧壁构成排放槽的内壁。处理箱的第三接合部分以曲面连接处理箱的侧壁与排放槽的底壁，第三近似曲面的弧度足以减小第三接合部分处污物的聚集。第四接合部分以曲面连接排放槽的任何两壁。本专利技术湿法处理装置的曲面和弯曲环面的弧度足以减小接合部分/区处污物的聚集。在连接管道与壁的接合部分，弯曲环面的弧度足以减小接合部分处的磨蚀。曲面和弯曲环面可以由近似曲面代替，只要近似曲面的弧度足以减小聚集或磨蚀即可。通过以下的详细说明可以使本专利技术的上述和其它目的变得更清楚。然而，应该明白，这些详细说明及特例只表示优选实施例，是示例性的，对于本领域的普通技术人员来说，从这种具体说明中可以很清楚那些不脱离本专利技术精神和范围的各种改变和变型。参照以下对特定实施例的详细说明及结合附图进行阅读，会更充分地理解本专利技术的新颖特点及其它特点和优点，其中图1是半导体晶片的常规湿法处理装置的透视图；图2是沿图1中的线A-A＇取的剖面图；图3是沿图1中的线B-B＇取的剖面图；图4是展示本专利技术实施例的半导体晶片湿法处理装置的透视图；图5是沿图4中的线C-C＇取的剖面图。图6是沿图4中的线D-D＇取的剖面图。下面结合附图说明本专利技术的优选实施例。图4是展示本专利技术实施例的半导体晶片湿法处理装置的透视图。图5是沿图4中的线C-C＇取的剖面图。图6是沿图4中的D-D＇线取的剖面图。如图4、5和6所示本专利技术湿法处理装置包括处理箱41，处理箱41的构成方式是其侧壁41-2的内侧彼此交会的部分最好是做成曲面，其侧壁41-2的内侧和其底部41-1交会的部分最好也是曲面，且其上表面为敞口。处理箱41的底部41-1与供应处理液例如清洗水或清洗液的处理液供应管42连接，它们的连接部分最好是曲面。为了形成该曲面，处理液供应管42与处理箱41连接的部分形成为内侧弯曲的漏斗形。另外，内侧弯曲的突出开口部分形成于处理箱底部41-1的连接部分上，以便插入供应管42。由于连接部分内侧为曲面，所以，可以防止连接部分被磨蚀，特别是可以防止因处理液流过此处造成的磨蚀。排放槽44围绕处理箱的侧壁41-2形成。排放槽44侧壁内侧彼此交会的部分最好制成曲面，其侧壁内侧与其底部交会的部分最好也制成曲面。排放管43与排放槽44的底部相连，这与处理箱41与处理液供应管42相连的方式类似。标号46表示泵，47表示过滤器。它们用于净化排放处理液。标号48表示流量控制板，其上均匀分布有孔。该流量控制板使处理液可以均匀流过处理箱的每一部分。在供应管42和排放管43中处理液的流动方向或流速发生变化的部位，即弯曲部分，例如，管42和43的42a,43a和43b(图6中所示)，最好形成为曲面。这样便可以使该弯曲部位避免被磨蚀。弯曲部位43b表示成T型连接，但也可以记作Y型连接。重申一下，本专利技术不存在常规湿法处理装置中常见的明显的直角拐角部分。再参见图6，侧壁41-2与流量控制板48在弯曲部分50(为了简便，图6中只示出了一个)交会。侧壁41-2与底41-1在弯曲部分52(为了简便，只示出了一个)交会。由侧壁41-1和外壁44-a形成的排放槽44与排放管43在区44b处相交。每一区44b包括弯曲部位55、56、58和60。供应管42的弯曲部位42a包括弯曲部位62和64。底部41-1与供应管42在区41a相交。区41a包括弯曲部位66，为了简便只示出了一个。弯曲区43a与弯曲区42a类似有弯曲部分。排放管43至少有两个在区43b交会的分枝，该区与区41a类似具有曲面。上述明显标识出来的弯曲部分是按照本专利技术的图4-6中众多弯曲部分本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体晶片的湿法处理装置，该装置包括其中放入多片半导体晶片的处理箱，其中所述处理箱侧壁内侧彼此交会的部位及该侧壁内侧与所述处理箱底内侧交会的部位皆制成曲面。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1．一种半导体晶片的湿法处理装置，该装置包括其中放入多片半导体晶片的处理箱，其中所述处理箱侧壁内侧彼此交会的部位及该侧壁内侧与所述处理箱底内侧交会的部位皆制成曲面。2．一种半导体晶片的湿法处理装置，该装置中放入半导体晶片进行处理，所述装置包括处理液供应管；处理箱，其构成为其与所述处理液供应管相连的底部、所述处理箱的侧壁内侧彼此交会的部位、及其侧壁内侧与所述底部内侧交会的部位皆制成曲面，所述处理箱的上表面敞开，以使来自所述处理液供应管的处理液能溢出所述处理箱；围绕所述处理箱的侧壁形成的排放槽；及与所述排放槽底部相连的排放管。3．如权利要求2所述的半导体晶片湿法处理装置，其中所述处理液供应管与所述处理箱内侧交会部位制成曲面。4．如权利要求3所述的半导体晶片湿法处理装置，其中所述处理箱的外壁构成所述排放槽的一些壁，以及其中所述排放槽的所述壁内侧彼此交会的部位，和所述排放槽的所述侧壁与所述排放槽底内侧交会的部位皆制成曲面。5．如权利要求3所述的半导体晶片湿法处理装置，其中所述排放管内侧与所述排放槽壁内侧交会的部位制成曲面。6．如权利要求3的半导体晶片湿法处理装置，其中所述处理液供应管和所述排放管的部分，所述处理液流速度和流向发生变化的那部分形成为弧形。7．一种在处理液中浸洗半导体晶片的湿法处理装置，该装置包括具有侧壁和底壁的处理箱；所述处理箱具有第一接合部分，每个第一接合部分至少以第一近似曲面连接所述处理箱两壁，所述第一近似曲面的弧度足以减少所述第一接合部分处污物的聚集。8．如权利要求7的装置，还包括位于所述处理箱内的流量控制板；所述处理箱具有第二接合部分，每个第二接合部分至少以一个第二近似曲面连接所述处理箱的壁与所述流量控制板，所述第二近似曲面的弧度足以减少所述第二接合部分处污物的聚集。9．如权利要求8的装置，还包括供应处理液的供应管；所述处...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩石彬，
申请(专利权)人：LG半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]