【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体材料与器件的制备设备二、
技术介绍
许多半导体薄膜和器件都要进行后处理。后处理中的一个重要技术手段是在薄膜表面沉积上某种物质(源)，再在特定的气氛和温度下退火。在实施这种后处理中时，有三个技术要素退火气氛、温度与时间、表面沉积物质(源)的多少。在现有的技术中，将源沉积于样品表面常用两种方法。一是将这种源制成溶液，涂覆于样品表面，这种方法受到一个因素的限制这种溶液在样品表面是否能浸润。此外，即使能克服这个限制，也难于对大面积样品有均匀的涂覆。另一种办法是将源制成和样品大小相同的板状，然后和样品一道进行退火，在退火过程中源将蒸发或升华在样品表面，达到后处理的效果。这个方法也要受到一个因素的限制在此特定的退火温度下，源能否蒸发或升华。此外，即使这个限制不存在，源沉积于样品表面的量强烈地依赖于退火温度与时间，使退火过程难于控制，从而使退火的效果难于保持稳定，甚至达不到要求。其次，对于大面积样品的连续退火，一般采用隧道炉来实施。样品装载于样品架上，沿炉内隧道前移。退火所需的特定气体也沿样品移动的方向流动。这要求整个隧道在任何时候是畅通的，结果气流会影响...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.本发明所述的半导体薄膜的后处理设备，其特征在于能对大面积半导体薄膜或器件进行连续的一片又一片的后处理。2.权利要求1所述的设备，其特征在于在热处理之前用超声喷雾的方法在样品移动时，将某种物质沉积在样品的表面。3.权利要求2所述的超声喷雾装置，其特征在于可以是一个，也可以是两个。在只用一个喷雾装置时，后处理炉呈“”或“”形。在用两个喷雾装置时，后处理炉呈“Y”形或“T”形。4.权利要求1所述的设备，其特征在于处理过程中所需的保护气体或反应气体，是从横向引入高温区或其...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯良桓，蔡伟，张静全，蔡亚平，何清，刘锋，
申请(专利权)人：四川大学，
类型：发明
国别省市：
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