半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序制造方法及图纸

本发明专利技术包括将包含下述(a)～(d)的循环进行规定次数以对在衬底的表面形成的凹部内进行填埋的方式形成膜的工序，(a)向处理室内的衬底供给假催化剂的工序；(b)将残留在处理室内的假催化剂排出的工序；(c)向处理室内的衬底供给原料的工序；和(d)将残留在处理室内的原料排出的工序，在(a)中，在假催化剂向上述衬底表面的化学吸附成为不饱和的条件下，使假催化剂吸附于衬底的表面。化剂吸附于衬底的表面。化剂吸附于衬底的表面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序


[0001]本公开文本涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序。

技术介绍

[0002]作为半导体器件的制造工序的一个工序，有时进行以对形成于衬底表面的凹部内进行填埋的方式形成膜的衬底处理工序(例如参见专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：国际公开第2015/045099号小册子

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的课题
[0007]本公开文本的目的在于提供能够提高来自形成于衬底表面的凹部内的膜的填埋特性的技术。
[0008]用于解决课题的手段
[0009]根据本公开文本的一个方式，提供下述技术，其包括将包含下述(a)～(d)的循环进行规定次数、以对形成于上述衬底表面的凹部内进行填埋的方式形成膜的工序，
[0010](a)向处理室内的衬底供给假催化剂的工序；
[0011](b)将残留在上述处理室内的上述假催化剂排出的工序；
[0012](c)向上述处理室内的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.半导体器件的制造方法，其包括将包含下述(a)～(d)的循环进行规定次数，以对在衬底的表面形成的凹部内进行填埋的方式形成膜的工序，(a)向处理室内的所述衬底供给假催化剂的工序；(b)将残留在所述处理室内的所述假催化剂排出的工序；(c)向所述处理室内的所述衬底供给原料的工序；和(d)将残留在所述处理室内的所述原料排出的工序，在(a)中，在所述假催化剂向所述衬底的表面的化学吸附成为不饱和的条件下，使所述假催化剂吸附于所述衬底的表面。2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，(a)中的所述假催化剂向所述衬底的表面的吸附成分至少包含物理吸附成分。3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，(a)中的所述假催化剂向所述衬底的表面的吸附成分包含物理吸附成分及化学吸附成分这两者。4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在使所述假催化剂的物理吸附成分存在于所述凹部的上部及下部这两者的条件下进行(a)。5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在使所述假催化剂的物理吸附成分及化学吸附成分这两者存在于所述凹部的上部及下部这两者的条件下进行(a)。6.如权利要求2～5中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述假催化剂在所述衬底表面上的物理吸附成分中的至少一部分残留的条件下进行(b)。7.如权利要求4或5所述的半导体器件的制造方法，其中，在使所述假催化剂在所述凹部的上部上的物理吸附成分中的至少一部分脱离、并且使所述假催化剂在所述凹部的下部上的物理吸附成分中的至少一部分残留的条件下进行(b)。8.如权利要求4或5所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述假催化剂在所述凹部的上部上的物理吸附成分的脱离量多于所述假催化剂在所述凹部的下部上的物理吸附成分的脱离量的条件下进行(b)。9.如权利要求4或5所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述假催化剂在所述凹部的下部上的物理吸附成分的残留量多于所述假催化剂在所述凹部的上部上的物理吸附成分的残留量的条件下进行(b)。10.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在(a)中，在所述假催化剂向所述衬底的表面的吸附反应成为反应决速步的条件下供给所述假催化剂。11.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在(a)中，在所述假催化剂单独存在时成膜不进行的条件下供给所述假催化剂。12.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在(c)中，在所述原料单独存在时成膜不进...

【专利技术属性】
技术研发人员：中谷公彦，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：