基板处理装置、半导体器件的制造方法及程序制造方法及图纸

提供一种技术，构成为，压力操纵控制器将设于旁通管道的第1压力调整阀设为全开，使处理基板的处理室的压力从大气压减压至第2规定压力；调整第1压力调整阀的开度，维持第2规定压力；将第1压力调整阀设为全开，使处理室的压力减压至比第2规定压力更低的第1规定压力；在到达了第1规定压力的时间点将至少第1压力调整阀及设于排气管道的第2压力调整阀关闭了第1规定时间的状态下，检测处理室的压力；将第2压力调整阀设为全开，使处理室的压力减压至第3规定压力；调整第2压力调整阀的开度，维持为处理基板的处理压力。处理基板的处理压力。处理基板的处理压力。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理装置、半导体器件的制造方法及程序


[0001]本专利技术涉及基板处理装置、半导体器件的制造方法及程序。

技术介绍

[0002]在具有对基板进行处理的反应炉、在该反应炉内保持基板的基板保持器件、对反应炉内的基板进行加热的加热器、和以使基板的温度上升到处理温度的方式进行控制的控制机构的基板处理装置中，具有在基板与支承该基板的支承部的接触部处晶片的背面因摩擦被刮擦而产生损伤的情况。造成这样的损伤的颗粒附着有时会导致成品率的恶化、产品品质的降低。
[0003]因此，根据专利文献1、专利文献2及专利文献3，记载了一种降低基板与支承该基板的支承部的摩擦、防止颗粒的附着的技术。
[0004]另一方面，近年来，从以往就要求高真空下的成膜，有时需要对装置设置大口径的排气管道并进行应对大口径的压力控制阀(以下也称为APC阀)的控制。但是，应对大口径的APC阀不会应对大范围的压力控制，仅应对高真空区域下的压力控制。因此，有无法应对今后的伴随器件微细化对成膜条件的严格化之忧。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：处理基板的处理室、具有第2压力调整阀的排气管道、具有第1压力调整阀的旁通管道、和控制所述第1压力调整阀及所述第2压力调整阀的压力操纵控制器，所述压力操纵控制器构成为，将所述第1压力调整阀设为全开，将所述处理室的压力从大气压减压至第2规定压力；调整所述第1压力调整阀的开度，维持所述第2规定压力；将所述第1压力调整阀设为全开，将所述处理室的压力减压至比所述第2规定压力更低的第1规定压力；在到达了所述第1规定压力的时间点将至少所述第1压力调整阀及所述第2压力调整阀关闭了第1规定时间的状态下，检测所述处理室的压力；将所述第2压力调整阀设为全开，将所述处理室的压力减压至比所述第2规定压力更低的第3规定压力；调整所述第2压力调整阀的开度，维持为处理所述基板的处理压力。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述压力操纵控制器构成为将所述处理压力设为比所述第1规定压力及所述第3规定压力高且比所述第2规定压力低。3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述压力操纵控制器构成为在将所述处理压力维持了第2规定时间后，在关闭了所述第1压力调整阀及所述第2压力调整阀的状态下，将所述处理室的压力升压到所述大气压以上。4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述压力操纵控制器构成为，对于在到达了所述第1规定压力的时间点将至少所述第1压力调整阀及所述第2压力调整阀关闭了第1规定时间的状态下检测所述处理室的压力的结果，若判断成产生了泄露，则再次使所述处理室到达所述第1规定压力，在关闭了所述第1压力调整阀及所述第2压力调整阀的状态下检测所述处理室的泄露。5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，还具备控制所述处理室的温度的温度操纵控制器，所述温度操纵控制器构成为，在维持为所述第2规定压力的规定时间内，升温至处理所述基板的处理温度。6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，设有所述第2压力调整阀的排气管道的配管的管径构成得比设有...

【专利技术属性】
技术研发人员：中谷一夫，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：