基板处理装置、温度控制系统以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

技术编号:28136701 阅读:54 留言:0更新日期:2021-04-21 19:07
本发明专利技术提供一种结构,具备:基板保持件,其在载置有基板的状态下插入处理室;旋转机构,其使基板保持件旋转;基板温度传感器,其在基板保持件旋转时与基板同样地旋转,且测量基板的温度;发送机,其在处理室的外侧与基板温度传感器连接,且构成为与基板同样地旋转;接收机,其接收从发送机输出的信号;以及控制器,其与该接收机连接。与该接收机连接。与该接收机连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理装置、温度控制系统以及半导体装置的制造方法


[0001]本专利技术涉及基板处理装置、温度控制系统以及半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]在图5中示出现有的使用了带热电偶的基板101的基板温度测量时的电缆101c的引绕例。在使用了带热电偶的基板101的情况下,将从带热电偶的基板101出来的电缆101c以沿着基板保持件(以下也称为晶舟)31的柱的方式等引绕,将电缆101c引出到一边对该晶舟进行支撑一边进行封闭的作为盖体的密封盖(以下称为CAP)25之外。必须将引出到CAP25之外的电缆101c进一步延长,布线到温度控制器64。
[0003]然而,如果在该状态下旋转晶舟31,则有时电缆101c断线。因此,有时无法旋转晶舟31和基板1。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1:日本特开2014

067766号公报

技术实现思路

[0007]专利技术所要解决的课题
[0008]本公开的目的在于提供一种能够将温度传感器设于基板附近,并且测量旋转的基板的基板温度的结构。
[0009]用于解决课题的方案
[0010]根据本公开的一方案,提供一种结构,其具备:基板保持件,其在载置有基板的状态下插入处理室;旋转机构,其使基板保持件旋转;基板温度传感器,其在基板保持件旋转时与基板同样地旋转,且测量基板的温度;发送机,其在处理室的外侧与基板温度传感器连接,且构成为与基板同样地旋转;接收机,其接收从发送机输出的信号;以及控制器,其与该接收机连接。
[0011]专利技术效果
[0012]根据本公开,能够将温度传感器设于基板附近,并且测量旋转的基板的基板温度。
附图说明
[0013]图1是本公开的一实施方式的基板处理装置的主视剖视图。
[0014]图2是表示本公开的一实施方式的基板处理装置的局部剖切主视图。
[0015]图3是表示本公开的一实施方式的基板处理装置中的控制器的硬件结构的图。
[0016]图4是表示带热电偶的基板的例子的图。
[0017]图5是说明使用了带热电偶的基板的基板温度测量时的电缆引绕例的图。
[0018]图6是表示本公开的一实施方式的基板处理装置的概略图的图。
[0019]图7是表示本公开的一实施方式的基板处理装置的晶舟装载时的变迁的概略图,
图7(a)是表示基板的移载中的状态的图,图7(b)是表示晶舟上升中的状态的图,图7(c)是表示晶舟装载完成的状态的图。
[0020]图8是本公开的一实施方式的基板处理工序的流程图。
[0021]图9中图9(a)是本公开的一实施方式的晶舟的变形例的分解立体图,图9(b)是图9(a)的纵剖视图。
具体实施方式
[0022]以下,结合附图对本公开的一实施方式进行说明。
[0023]图1所示的基板处理装置10具备被支撑的立式的作为反应管的处理管11,处理管11由互相配置成同心圆的作为外管的外管12和作为内管的内管13构成。外管12使用石英(SiO2),一体成形为上端封闭且下端开口的圆筒形状。内管13形成为上下两端开口的圆筒形状。内管13的筒中空部形成有供晶舟31搬入的处理室14,内管13的下端侧(开口空间)构成用于使晶舟31出入的炉口部(炉口空间)15。如后述地,晶舟31构成为将多张基板(以下,也称为晶圆。)1以长排列的状态保持。因此,内管13的内径设定为大于处理的基板1的最大外径(例如,直径300mm)。
[0024]外管12与内管13之间的下端部被构筑成大致圆筒形状的作为炉口凸缘部的歧管16气密密封。为了进行外管12及内管13的更换等,歧管16在外管12以及内管13分别装卸自如地安装。通过歧管16支撑于基板处理装置10的箱体2,处理管11为垂直地安装的状态。以后,在图中,作为处理管11,有时省略内管13。
[0025]排气路17由外管12与内管13的间隙以横截面形状为恒定宽度的圆形环形状构成。如图1所示,排气管18的一端与歧管16的侧壁的上部连接,排气管18为与排气路17的最下端部连通的状态。在排气管18的另一端连接有由压力控制器21控制的排气装置19,在排气管18的中途连接有压力传感器20。压力控制器21构成为基于来自压力传感器20的测量结果对排气装置19进行反馈控制。
[0026]在歧管16的下方以与内管13的炉口部15连通的方式配设有气体导入管22,在气体导入管22连接有原料气体供给装置、反应气体供给装置以及非活性气体供给装置(以下,称为气体供给装置。)23。气体供给装置23构成为由气体流量控制器24控制。从气体导入管22导入到炉口部15的气体在内管13的处理室14内流通,并通过排气路17被排气管18排出。
[0027]封闭下端开口的CAP25从垂直方向下侧与歧管16接触。CAP25构筑成与歧管16的外径大致相等的圆盘形状,且构成为通过保护于在箱体2的移载室3所设置的晶舟罩37的晶舟升降机26在垂直方向上升降。晶舟升降机26由马达驱动的进给丝杠轴装置以及波纹管等构成,晶舟升降机26的马达27构成为由驱动控制器28控制。旋转轴30配置于CAP25的中心线上,并被旋转自如地支撑,且旋转轴30构成为被由驱动控制器28控制的马达29旋转驱动。在旋转轴30的上端垂直地支撑有晶舟31。在本实施方式中,由旋转轴30和马达29构成旋转机构。
[0028]晶舟31具备上下一对端板32、33和垂直架设于它们之间的三根作为保持部件的支柱(柱)34,在三根支柱34沿长度方向等间隔地刻有多个保持槽35。在三根支柱34上刻在同一层的保持槽35彼此互相对置地开口。晶舟31通过在三根支柱34的同一层的保持槽35之间插入基板1,从而将多张基板1以水平且互相对齐中心的状态排列并保持。另外,通过在三根
支柱34的同一层的保持槽39之间插入隔热板120,从而将多张隔热板120以水平且互相对齐中心的状态排列并保持。
[0029]也就是,晶舟31构成为划分出保持多张基板1的从端板32到端板38之间的基板处理区域和保持多张隔热板120的从端板38到端板33之间的隔热板区域,且构成为在基板处理区域的下方配置隔热板区域。由保持于端板38与端板33之间的隔热板120构成隔热部36。
[0030]旋转轴30构成为将晶舟31支撑为从CAP25的上表面抬起的状态。隔热部36设于炉口部15,构成为对炉口部15进行隔热。另外,在CAP25之下具有旋转晶舟31的马达29,该马达29为中空马达构造,旋转轴30贯通马达29。
[0031]如图2所示,作为加热部的加热器单元40以同心圆的方式配置于处理管11的外侧,并设置为支撑于箱体2的状态。由此,加热器单元40构成为对保持于晶舟31的基板处理区域内的基板1进行加热。加热器单元40具备壳体41。壳体41使用不锈钢(SUS),并形成为上端封闭且下端开口的筒形状,优选为圆筒形状。壳体41的内径及全长设定为大于外管1本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基板处理装置,其特征在于,具备:基板保持件,其在载置有基板的状态下插入处理室;旋转机构,其使所述基板保持件旋转;基板温度传感器,其在所述基板保持件旋转时与所述基板同样地旋转,并且测量所述基板的温度;发送机,其在所述处理室的外侧与所述基板温度传感器连接,且构成为与所述基板同样地旋转;接收机,其接收从所述发送机输出的信号;以及控制器,其与该接收机连接。2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,构成为,包含所述基板温度传感器、所述基板保持件、所述旋转机构、所述发送机的旋转部一体地旋转。3.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,所述基板温度传感器的电缆设置成沿着所述基板保持件的支柱。4.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,所述基板温度传感器的电缆设置成布置于所述基板保持件的支柱内。5.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,引出到所述基板保持件的下部的电缆穿过所述旋转机构与所述发送机连接,构成为,所述发送机对输入的电信号进行数字变换,并搭载于电波通过无线传输发送到所述接收机。6.根据权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,在与所述处理室相邻的搬送室设有所述接收机,构成为,所述接收机接收所述发送机发出的数字信号,并将接收到的所述数字信号变换成模拟信号输出。7.根据权利要求1~4中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,还具有在内...

【专利技术属性】
技术研发人员:赤尾德信村田等田中昭典上野正昭
申请(专利权)人:株式会社国际电气
类型:发明
国别省市:

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