一种氧化物巨磁电阻薄膜的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种氧化物巨磁电阻薄膜、制备方法以及薄膜的用途。采用摩尔浓度为０．１摩尔／升至０．５摩尔／升的金属有机物溶液，按摩尔体积比例配制成均匀的目标溶液后，用旋转甩胶制备湿膜。再经前烘和烧结后，制备成钙钛矿结构的氧化物巨磁电阻薄膜。本方法具有工艺简单，重复性好，大面积均匀，成本低，衬底价格低廉和设备要求不高等特点，易于操作控制和推广应用。该巨磁电阻薄膜具有输出信号大，室温下电阻率随外磁场呈线性变化等特性，适合于制备磁敏器件和自旋极化三极管等。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种在室温下电阻率随外磁场线性变化的氧化物巨磁电阻薄膜和制备氧化物巨磁电阻薄膜的金属有机物分解的工艺方法及用途，该薄膜具有多晶结构。1988年M.N.Baibich等人(Phys.Rev.Lett.,61,2472(1988))首次在分子束外延生长的铁Fe/铬Cr多层膜中发现了巨磁电阻效应(即材料的电阻率在外磁场的作用下发生很多变化的现象)，在温度为4.2K时，2特斯拉外磁场下，砷化镓GaAs(100)/(铁Fe30/铬Cr9)60的多层膜呈现R/R(H=O)=45％的特性，式中R为施加外磁场的电阻值，R(H=O)为外加磁场为零时的电阻值。他们把巨磁电阻效应的机制归结于自旋极化电子在金属多层膜界面处的散射。1993年R.vonHelmolt等人(Phys.Rev.Lett.,71,2331(1993))在脉冲激光剥离沉积方法生长的掺杂稀土氧化物LaBaMnO多晶薄膜中也发现了巨磁电阻效应，在室温下，巨磁电阻效应值为ΔR/RH=60％，其中ΔR为加施加外磁场时最大电阻值与饱和电阻值之差，RH为外磁场为7特斯拉时的电阻值。他们认为是电子通过O-2在Mn+3和Mn+本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氧化物巨磁电阻薄膜，其特征在于，它由三价元素，二价元素，可以呈三价和／或四价价态的元素以及氧元素组成，其一般结构式是：Ａ↓［ｘ］Ｂ↓［１－ｘ］ＣＯ↓［ｙ］，其中ｘ、ｙ均表示组份，它们的范围是：０≤ｘ≤１；１≤ｙ≤１０，具有钙钛矿型多晶结构，室温下电阻率随外磁场线性变化。

【技术特征摘要】
1.一种氧化物巨磁电阻薄膜，其特征在于，它由三价元素，二价元素，可以呈三价和/或四价价态的元素以及氧元素组成，其一般结构式是AxB1-xCOy,其中x、y均表示组份，它们的范围是0≤x≤1；1≤y≤10，具有钙钛矿型多晶结构，室温下电阻率随外磁场线性变化。2.如权利要求1所述的一种氧化物巨磁电阻薄膜，其特征在于，三价元素是Ia镧，Y钇，Sm钐或Er铒等，二价元素是Sr锶，Ba钡，Ca钙，Pb铅，Zn锌，Sn锡，Mg镁或Cd镉等，呈三价和/或四价价态的元素是Mn锰，Co钴，Fe铁，Ni镍或Cr铬。3.如权利要求1所述的一种氧化物巨磁电阻薄膜，其特征在于，一般结构式AxB1-xCOy中，A可以是两种三价元素的百分比组合，B也可以是两种二价元素的百分比组合，C也可以是两种呈三价和/或四价价态的元素的百分比组合。4.如权利要求1所述的一种氧化物巨磁电阻薄膜，其特征在于，具有La0.67(JxK1-x)0.33MnOy结构式，J和K分别是权利要求2中所述的二价元素，0≤x≤1,2≤y≤4,居里温度点高于300K，室温下电阻率随外磁场线性变化。5.如权利要求1所述的一种氧化物巨磁电阻薄膜，其特征在于，具有La0.67Sr0.33MnO3结构式，居里温度点高于330K，室温下电阻率随外磁场线性变化，外磁场为10000奥斯特时，巨磁电阻值大于5％，电阻变化率达0.7欧姆/奥斯特。6.一种制备氧化物巨磁电阻薄膜的方法，包括净化工作台，旋转甩胶机，廉价衬底及衬底的有机化学溶剂清洗和去离子水冲洗、烘干工艺，目标溶液的配制，湿膜的前烘和烧结工艺，热处理的气氛，其特征在于，采用三价元素的MOD...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈鸿烈，塚本孝一，祝向荣，柳泽武，邹世昌，
申请(专利权)人：中国科学院上海冶金研究所，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]