【技术实现步骤摘要】
技术介绍
本专利技术一般涉及非易失性存储器，尤其涉及电可擦除非易失性存储器。非易失性存储单元有其优越性，因为即使存储器的电源断开仍能保留记录的信息。有几种不同的非易失性存储器，其中包括可擦除可编程只读存储器(EPROMs)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROMs)及快速(flash)EEPROM存储器。EPROMs可通过曝光擦除，但用注入到浮栅的沟道热电子进行电编程。常规的EPROMs具有同样的编程功能，但不是用光擦除，而可用电子隧道效应进行擦除与编程。这样，信息可存储在这些存储器中，电源断开时仍可保留，如果需要，该存储器可以擦除，以便适当技术重新编程。快速EEPROMs可分块擦除，一般比常规EEPROMs有更好的读出存取次数。目前，快速存储器已经很普及。例如，快速存储器往往用于提供芯片上存储器(on-chip memory)，用于微控制器、调制解调器(Modems)和智能(SMART)卡等希望存储快速更新的代码之用途。鉴于快速存储器和EEPROMs密切相关，在很多情况下，快速存储器更受欢迎，因为其单元尺寸小意味着更经济。然而，快速存储器和EEPROMs往往具有很相...
【技术保护点】
一种电可擦除和可编程只读存储器，其特征在于，包括：一读出晶体管，包括浮栅、沟道、源和漏；一双极晶体管，适合于通过所述沟道以衬底热电子注入方式将电子注入到所述浮栅的方法为所述浮栅进行编程提供电子，所述双极晶体管配置成其集电极也是所述读 出晶体管沟道下的被偏置的耗尽区；以及一选择晶体管，邻接于所述读出晶体管而形成，所述选择晶体管的所述源为所述双极晶体管的发射极。
【技术特征摘要】
US 1997-4-11 08/838,8541.一种电可擦除和可编程只读存储器，其特征在于，包括一读出晶体管，包括浮栅、沟道、源和漏；一双极晶体管，适合于通过所述沟道以衬底热电子注入方式将电子注入到所述浮栅的方法为所述浮栅进行编程提供电子，所述双极晶体管配置成其集电极也是所述读出晶体管沟道下的被偏置的耗尽区；以及一选择晶体管，邻接于所述读出晶体管而形成，所述选择晶体管的所述源为所述双极晶体管的发射极。2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于所述控制栅延伸所述选择晶体管的栅和所述读出晶体管的浮栅。3.如权利要求1所述的存储器，其特征在于所述控制栅形成一邻接于读出晶体管的电容器。4.如权利要求3所述的存储器，其特征在于所述第三晶体管在所述选择晶体管与所述读出晶体管之间。5.一种存储单元，其特征在于，包括具有在衬底上形成的控制栅、浮栅和源漏的读出晶体管，所述控制栅位于所述浮栅之上，所述读出晶体管适合于在所述衬底内形成耗尽区；以及邻接于所述读出晶体管的浮栅，在所述沟道和所述源之间形成的电容器，所述电容器包括由所述控制栅形成的极板，所述电容器的位置便于扩展由所述读出晶体管形成的耗尽/反型区。6.如权利要求5所述的存储单元，其特征在于，包括一选择晶体管，所述电容器在所述选择晶体管与所述读出晶体管之间形成。7.如权利要求6所述的存储单元，其特征在于，包括一双极晶体管，该双极晶体管由所述选择晶体管的源、所述选择晶体管的沟道和所述读出晶体管沟道下的被偏置的耗尽区组成。8.如权利要求7所述的存储单元，其特征在于对所述P阱进行负偏置，所述读出和选择晶体管为n沟晶体管。9.如权利要求5所述的存储单元，其特征在于，包括一选择晶体管，所述读出和选择晶体管具有单一源和单一漏，所述电容器配置成跨接所述选择晶体管和所述读出晶体管的沟道。10.一种存储器，其特征在于，包括在所述衬底内界定沟道的衬底之上的浮栅；与所述浮栅横向隔开的衬底电子的源；以及从所述源到所述沟道的衬底电子通路，在源与沟道之间的一条线上无任何介入的N型掺杂区。11.如权利要求10所述的存储器，其特征在于，包括一电容器，该电容器在所述源和所述浮栅之间形成，以便形成邻接于所述浮栅并在所述衬底电子通路上的耗尽/反型区。12.如权利要求11所述的存储器，其特征在于所述电容器由延伸到所述衬底之上和所述浮栅之上的控制栅电极组成。13.如权利要求12所述的存储器，其特征在于，包括具有配置在所述电容器与所述源之间的栅的选择晶体管。14.如权利要求13所述的存储器，其特征在于衬底电子的所述源是选择晶体管的源。15....
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