双场效应晶体管芯片以及安装该芯片的方法技术

一种双场效应晶体管芯片包括第一和第二内置场效应晶体管。该芯片的一个表面具有分别与第一场效应晶体管的源极和栅极电连接的第一源极焊盘和第一栅极焊盘。该芯片的同一表面上具有分别与第二场效应晶体管的源极和栅极电连接的第二源极焊盘和第二册极焊盘。另一方面，该芯片的另一个表面形成有与第一和第二场效应晶体管的漏极共同电连接的导电膜。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种包含两个FET(场效应晶体管)的双场效应晶体管(FET)芯片，并且涉及一种在电路板上安装该芯片的方法。FET例如可以在锂离子电池的保护电路中成对地用于充电-放电控制。更具体来说，如附图6中所示，两个FET51、52相串联，它们的漏极51d、52d相互连接，并且它们的源极51s、52s和栅极51g、52g保持独立。通常，这两个FET被作为不同的半导体芯片提供，如图7中所示。更具体来说，分别在图7中用标号63、64所表示的两个FET芯片安装在形成于电路板61上的公共金属箔62上。两个FET芯片63、64的下表面通过导电膏的各个淀积块65、66电连接到金属箔62上，其中该FET芯片的各个漏极位于该下表面上。一个FET芯片63的上表面形成有栅极焊盘67和源极焊盘73。栅极焊盘67通过金线71电连接到形成在电路板61上的相应导体焊盘69。源极焊盘73通过金线77电连接到形成该电路板61上的相应导体焊盘75。类似地，另一个FET64的上表面也形成有栅极焊盘68和源极焊盘74。栅极焊盘68通过金线72电连接到形成在电路板61上的相应导体焊盘70。源极焊盘74通过金线78电连本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种包括第一表面和与该第一表面相对的第二表面的场效应晶体管芯片，该芯片包括： 多个内置的场效应晶体管； 形成在第一表面上与每个所述场效应晶体管的输入－输出端电连接的输入－输出焊盘； 在第一表面上与每个所述场效应晶体管的控制端电连接的控制焊盘；以及 形成在第二表面上与所有场效应晶体管的其它输入－输出端共同电连接的导电膜。

【技术特征摘要】
JP 1999-3-16 69938/19991.一种包括第一表面和与该第一表面相对的第二表面的场效应晶体管芯片，该芯片包括多个内置的场效应晶体管；形成在第一表面上与每个所述场效应晶体管的输入-输出端电连接的输入-输出焊盘；在第一表面上与每个所述场效应晶体管的控制端电连接的控制焊盘；以及形成在第二表面上与所有场效应晶体管的其它输入-输出端共同电连接的导电膜。2.根据权利要求1所述的场效应晶体管芯片，其特征在于，每个所述场效应晶体管的输入-输出焊盘和控制焊盘与第一表面的一边缘相邻。3.根据权利要求1所述的场效应晶体管芯片，其特征在于，该导电膜完全覆盖第二表面。4.根据权利要求1所述的场效应晶体管芯片，其特征在于，该输入-输出焊盘比控制焊盘更长。5.一种包括第一表面和与该第一表面相对的第二表面的双场效应晶体管芯片，该芯片包括第一和第二内置的场效应晶体管；形成在第一表面上与第一场效应晶体管的源极端电连接的第一源极焊盘；在第一表面上与第一场效应晶体管的栅极端电连接的第一栅极焊盘；形成在第一表面上与第二场效应晶体管的源极端电连接的第二源极焊盘；在第一表面上与第二场效应晶体管的栅极端电连接的第二栅极焊盘；以及形成在第二表面上与第一和第二场效应晶体管的漏极端共同电连接的导电膜。6.根据权利要求5所述的双场效应晶体管芯片，其特征在于，第一表面包括第一边缘和与第一边缘相对的第二边缘，与第一边缘相邻的第一源极焊盘和第一栅极焊盘，与第二边缘相邻的第二源极焊盘和第二栅极焊盘。7.根据权利要求5所述的双场效应晶体管芯片，其特征在于，该导电膜完全覆盖第二表面。8.根据权利要求5所述的场效应晶体管芯片，其特征在于，每个第一和第二源极焊盘比第一和第二栅极焊盘更长。9.一种在一块电路板上安装场效应晶体管芯片的方法，该芯片包括第一表面和与该...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中直也，横山荣二，青山直树，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]