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一种可按比例缩小的非易失性存储器包括由在三阱中形成的存储单元。选择晶体管可以有一个起横向双极晶体管发射极作用的源。横向双极晶体管作为电荷注入源工作。电荷注入源对浮栅提供衬底热电子注入以进行编程。单元耗尽／反型区可通过在所述读出晶体管源与沟之...
该专利属于硅芯片公司所有，仅供学习研究参考，未经过硅芯片公司授权不得商用。

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