【技术实现步骤摘要】
晶圆级封装结构及制作方法
[0001]本专利技术涉及型晶圆级封装
,尤其涉及晶圆级封装结构及制作方法。
技术介绍
[0002]晶圆级芯片封装(WL
‑
CSP)技术是对整片晶圆进行封装测试后再切割得到单个成品芯片的技术,封装后的芯片尺寸与裸片一致。晶圆级芯片尺寸封装技术改变传统封装,如陶瓷无引线芯片载具、有机无引线芯片载具和数码相机模块式的模式,顺应了市场对微电子产品日益轻、薄、短、小和低价化要求。经晶圆级芯片尺寸封装后的芯片尺寸达到了高度微型化,芯片成本随着芯片尺寸的减小和晶圆尺寸的增大而显着降低。晶圆级芯片尺寸封装技术是可以将IC设计、晶圆制造、封装测试、基本板制造整合为一体的技术,是当前封装领域的热点和未来发展的趋势。
[0003]现有的晶圆级封装结构在芯片安装后,对于芯片的散热专利技术存在缺陷,封装结构对晶圆的芯片散热效率较低,依靠材质本身导热,散热效率低下,现有的封装机构较为复杂,工艺操作复杂,为此我们提出晶圆级封装结构及制作方法来解决以上问题。
技术实现思路
[000 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.晶圆级封装结构,包括模塑料体(1),其特征在于,所述模塑料体(1)的底部设有芯片槽(2)和环形槽(8),芯片槽(2)位于环形槽(8)的内侧,芯片槽(2)内设有芯片(3),所述芯片(3)的底部设有电极(4),模塑料体(1)的底部设有金属布线层(5),所述模塑料体(1)的底部设有封盖层(12),封盖层(12)的底部设有绝缘层(13),绝缘层(13)上安装有绝缘层(13)和封盖层(12)之间设有凸点下金属层(6),所述凸点下金属层(6)的顶部分别与电极(4)和金属布线层(5)连接,所述凸点下金属层(6)的底部设有焊球(7),所述封盖层(12)上设有通孔一(10),绝缘层(13)上设有与通孔一(10)对接的通孔二(11),所述通孔一(10)与环形槽(8)连通,芯片槽(2)和环形槽(8)之间设有散热片(9)。2.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构,其特征在于,所述通孔一(10)和通孔二(11)的截面均为圆形结构,通孔一(10)和通孔二(11)的截面直径相同。3.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构,其特征在于,所述电极(4)和金属布线层(5)的底部位于同一平面内。4.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构,其特征在于,所述散热片(9)为多个,芯片槽(2)和环形槽(8)之间设有多个用于散热片(9)安装的安装孔,多个安装孔的长度不同。5.晶圆级封装结构...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄晓波,宋向东,
申请(专利权)人:江西龙芯微科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。