制造铁电随机存取存储器件的方法技术

一种制造铁电随机存取存储器件的方法包括：准备一有源矩阵，它具有晶体管、扩散区、隔离区、位线以及第一绝缘层和第二绝缘层；在有源矩阵上顺序构成第一导电层和电介质层；进行快速热退火，用以在电介质层中形成核；形成第二导电层；进行热退火；通过构图来形成具有顶部电极、电容器薄膜和底部电极的电容器结构；进行第一次恢复；在电容器结构和第二绝缘层上形成第三绝缘层；将第三绝缘层构图形成第一开口和第二开口；和进行第二次恢复。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体存储器件的制造方法；并且特别是涉及一种用于铁电随机存取存储器件(FeRAM)中的电容器的制造方法，该电容器具有高的极化值以及改善的短路故障和漏电流特性。随着薄膜沉积技术的新发展，对使用铁电薄膜的非易失性存储单元的研究已取得很大进展。这种非易失性存储单元是一种高速可重写非易失性存储单元，它利用了铁电电容器薄膜的高速极化/转换和的剩余极化特性。因此，在铁电随机存取存储器(FeRAM)中，具有铁电特性的电容器薄膜，诸如钽酸锶铋(SBT)和锆钛酸铅(PZT)，越来越多地被用作替代常规氧化硅薄膜或氮化硅薄膜的电容器薄膜，因为它可确保低压和高速的性能，并且不需要定期更新来防止诸如动态随机存取存储器(DRAM)在备用间隔中的信息丢失。由于铁电材料在室温下具有从几百到几千的介电常数值和稳定的剩余极化特性，它就被用作非易失性存储器件的电容器薄膜。在非易失性存储器件中利用铁电电容器薄膜的情况下，信息数据的存储是通过施加电场时的偶极子极化来实现的。即使电场去除，剩余极化仍然保留，从而能够存储一个信息数据，即，“0”或“1”。同时，为了在半导体存储器件中有效地利用铁电电容器，要本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造铁电随机存取存储器件（ＦｅＲＡＭ）的方法，该方法包括如下步骤： ａ）准备一个有源矩阵，它具有晶体管、扩散区、隔离区、位线以及第一绝缘层和第二绝缘层； ｂ）在有源矩阵上顺序构成第一导电层和电介质层； ｃ）进行快速热退火（ＲＴＡ），用以在电介质层中形成核； ｄ）在电介质层的顶部形成第二导电层； ｅ）在炉中进行热退火； ｆ）通过将第二导电层、电介质层和第一导电层构图成第一预定构形，来形成具有顶部电极、电容器薄膜和底部电极的电容器结构； ｇ）进行第一次恢复； ｈ）在电容器结构和第二绝缘层上形成第三绝缘层； ｉ）将第三绝缘层构图形成第一开口和...

【技术特征摘要】
KR 1999-12-28 63826/991．一种制造铁电随机存取存储器件(FeRAM)的方法，该方法包括如下步骤a)准备一个有源矩阵，它具有晶体管、扩散区、隔离区、位线以及第一绝缘层和第二绝缘层；b)在有源矩阵上顺序构成第一导电层和电介质层；c)进行快速热退火(RTA)，用以在电介质层中形成核；d)在电介质层的顶部形成第二导电层；e)在炉中进行热退火；f)通过将第二导电层、电介质层和第一导电层构图成第一预定构形，来形成具有顶部电极、电容器薄膜和底部电极的电容器结构；g)进行第一次恢复；h)在电容器结构和第二绝缘层上形成第三绝缘层；i)将第三绝缘层构图形成第一开口和第二开口；和j)进行第二次恢复。2．根据权利要求1所述的方法，其中，电介质层是由从下列材料组中选出的一种材料做成的SBT((Sr,Bi)Ta2O9)、SBTN(SrxBiy(TajNbj)2O9)和锆钛酸铅(PZT)。3．根据权利要求1所述的方法，其中，步骤c)是在富氧环境下在大致700℃到800℃的温度范围内大致上进行20到60秒。4．根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁佑硕，卞得寿，
申请(专利权)人：现代电子产业株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]