【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及磁隧道结元件和使用这种磁隧道结元件的磁性存储器。近来，已经在研究和讨论用于硬盘驱动器(HDDs)的重放磁头和磁性存储器的磁隧道结(MTJ)元件的应用，因为与传统的各向异性磁致电阻(AMR)元件和巨型磁致电阻(GMR)元件相比，MTJ元件提供更大的输出。特别是，与半导体存储器类似，磁性存储器是具有无操作部分的固态存储器，由于它本身以下的特征，它比半导体存储器更有用即使电源断开，存储在其中的信息也不会丢失；重复改写的次数是无穷的，也就是，提供极大的耐久性；即使暴露在放射性射线下记录的内容也不会有损坏的危险等。作为通常的MTJ元件的结构的实例，依照JP-A-9-106514的指教显示在附图说明图12中。在图12中MTJ元件，由反铁磁性层41，铁磁性层42，绝缘层43和铁磁性层44组成。反铁磁性层41使用铁锰(FeMn)、镍锰(NiMn)、铂锰(PtMn)或铱锰(IrMn)合金。铁磁性层42和44使用铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)或它们的合金。此外，在绝缘层43，研究过各种氧化物和氮化物后发现当使用三氧化二铝(Al2O3)薄膜时获得最高的磁致电阻(...
【技术保护点】
一种磁隧道结元件（１，２，３），包括： 作为存储层的第一磁性层（１２，２２）和第二磁性层（１４，２４）； 放置在第一和第二磁性层之间的第一绝缘层；和 第三磁性层（１５，２５），它提供在第二磁性层与第一绝缘层相反一侧，以便与第二磁性层（１４，２４）形成闭合磁路。
【技术特征摘要】
JP 2000-2-17 39167/00;JP 2000-2-17 39168/001．一种磁隧道结元件(1,2,3)，包括作为存储层的第一磁性层(12,22)和第二磁性层(14,24)；放置在第一和第二磁性层之间的第一绝缘层；和第三磁性层(15,25)，它提供在第二磁性层与第一绝缘层相反一侧，以便与第二磁性层(14,24)形成闭合磁路。2．如权利要求1所述的磁隧道结元件(1,2,3)，其特征在于，第三磁性层(15,25)与第二磁性层(14,24)在它们相应的末端直接连接或通过第四磁性层(19,19＇)连接，第三磁性层的中心部分与第二磁性层分开。3．如权利要求2所述的磁隧道结元件(1,2,3)，其特征在于，引线(122,123,32,33)穿过绝缘层(10)，放置在第二磁性层和第三磁性层的中心部分之间形成的狭缝(G)中。4．如权利要求1所述的磁隧道结元件(1,2,3)，进一步包括第一反铁磁性层(11,21)，它在与第一绝缘层(13,23)相反的一面与第一铁磁性层(12,22)的表面接触，所述的第一反铁磁性层(11,21)与第一铁磁性层(12,22)交换耦合。5．如权利要求1所述的磁隧道结元件(3)，其特征在于，第一磁性层(22)包括至少两层铁磁性分层(22a,22c)，它们彼此之间通过金属层(22b)反铁磁性耦合。6．如权利要求1所述的磁隧道结元件(2,3)，进一步包括第五磁性层(17,27)，它形成在第三磁性层上...
【专利技术属性】
技术研发人员：道嶋正司，林秀和，南方量二，
申请(专利权)人：夏普公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。