磁阻效应薄膜及使用该薄膜的存储器制造技术

本发明专利技术的磁阻效应薄膜包括：由一个垂直磁性薄膜形成的第一磁层（１１１），由堆积在所述第一磁层之上的由垂直磁性薄膜形成的第二磁层（１１３），和一个夹在上述第一和第二磁层之间的非磁性层（１１２），其中提供了一个以粒状形状形成在所述第一和第二磁层之一与非磁性层之间的第一磁性区域（１１４），它具有比第一和第二磁层之一更大的自旋极化，其中这个第一磁性区同所述第一和第二磁层之一的那个磁层进行交换耦合。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及磁阻效应薄膜以及使用该薄膜的存储器。
技术介绍
近年来，半导体存储器作为固态存储器被频繁地应用于信息技术设备中，存储器类型有很多种，包括动态随机存取存储器(DRAM)、铁电随机存取存储器(FeRAM)、快闪电可擦除只读存储器(EEPROM)等等。这些半导体存储器的特征既有优点也有缺点，并且根本不存在满足当前信息设备中要求的所有技术规格的存储器。例如，DRAM具有高的记录密度和大的可擦写次数，但它是一个易失性的存储器，当电源消失后记录在里面的信息就随之丢失，快闪电可擦除只读存储器是非易失的，但是它需要一段较长时间来擦除信息，因此对于信息的快速处理它就不再适用了。与上述的半导体存储器不同，磁阻效应随机存取存储器(MRAM)是一个有潜在价值的存储器，它可以满足许多信息设备中要求的所有技术规格，比如说记录时间、读出时间、记录密度、可写入次数、耗电量等等。特别是，应用依赖自旋的隧道磁阻效应(TMR)的MRAM能产生大的读出信号，因此有利于实现更高记录密度或者快速读出，其用作MRAM的实用性在近来的研究报告中得到证实。用于MRAM元件的磁阻效应薄膜的基本构造是一个三明治结构，在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一个磁阻效应薄膜，包括：包含一个垂直磁化薄膜的第一磁层（１１１），包含一个堆积在所述第一磁层之上的垂直磁化薄膜的第二磁层（１１３），和一个夹在所述第一和第二磁层之间的非磁性层（１１２）， 其中提供了一个以粒状形状形成在所述第一和第二磁层之一与非磁性层之间的第一磁性区域（１１４），它具有比第一和第二磁层之一更大的自旋极化，并且其中这个第一磁性区同所述第一和第二磁层之一进行交换耦合。

【技术特征摘要】
JP 2001-6-7 172567/20011.一个磁阻效应薄膜，包括包含一个垂直磁化薄膜的第一磁层(111)，包含一个堆积在所述第一磁层之上的垂直磁化薄膜的第二磁层(113)，和一个夹在所述第一和第二磁层之间的非磁性层(112)，其中提供了一个以粒状形状形成在所述第一和第二磁层之一与非磁性层之间的第一磁性区域(114)，它具有比第一和第二磁层之一更大的自旋极化，并且其中这个第一磁性区同所述第一和第二磁层之一进行交换耦合。2.根据权利要求1所述的磁阻效应薄膜，其中进一步提供了第二磁性区域(115)，它以粒状形状形成在所述第一和第二磁层的另一个和非磁性层之间，具有比第一和第二磁层的另一个更大的自旋极化，并且其中所述第二磁性区域被安排成同所述第一和第二磁层中的另一个进行交换耦合。3.根据权利要求2所述的磁阻效应薄膜，其中在没有施加外界磁场的状态下，所述第一和第二磁性区域之一的磁化沿着与薄膜表面相垂直的方向被引导，其中在没有施加外界磁场的状态下，所述第一和第二磁性区域中的另一个的磁化沿着与薄膜表面垂直方向相倾斜的方向被引导，并且在沿薄膜表面垂直的方向上施加外界磁场的状态下，第一和第二磁性区域中的磁化都沿着与薄膜表面相垂直的方向被引导。4.根据权利要求1所述的磁阻效应薄膜，其中所述非磁性层包含一个绝缘体。5.根据权利要求1所述的磁阻效应薄膜，其中在没有应用外界磁场的状...

【专利技术属性】
技术研发人员：池田贵司，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]