【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于从半导体晶片中沿划痕框分离例如像半导体芯片那样的半导体器件的一种装置，在此装置上在半导体晶片上安排了在其中构成了多个金属化平面的一个绝缘层，在这些金属化平面中一个最上面的金属化平面是经连接孔与一个位于其下的金属化平面电气连接的。通常通过沿划痕框的锯削来实现从晶片中分离半导体器件，此划痕框决定各个半导体器件之间的界线。在此必须如此进行半导体晶片的锯开，使得在各个半导体器件中可靠地避免裂纹的形成。在文献EP 0 806 795 A2中说明了一种装置，在此装置上为了防止在绝缘层中的裂纹形成，在从晶片中沿划痕框分离半导体器件时，在绝缘层中构成了多个金属化平面，在这些金属化平面中一个最上面的金属化平面是经连接孔中的连接层与一个位于其下的金属化平面电气连接的。因此从此文献中公开了开始时所述方式的一种装置，也即按权利要求1的前序部分的一种装置。尤其是像存储器芯片那样的半导体器件常常含有熔丝，这些熔丝位于半导体器件和划痕框之间的过渡范围中，并且存储着在晶片平面上需要的，却在半导体晶片锯开之后可能消失的信息。出于此原因优先将这些熔丝安置在锯边缘上，或安置在向...
【技术保护点】
用于从半导体晶片中沿划痕框（Ｒ）分离半导体器件的一种装置，在此装置上在半导体晶片上安排了在其中构成了多个金属化平面（Ｍ０，Ｍ１，Ｍ２）的一个绝缘层（３），在这些金属化平面中一个最上面的金属化平面（Ｍ２），是经连接孔中的连接层（Ｃ２）与一个位于其下的金属化平面（Ｍ１）电气连接的，其特征在于，在半导体器件和划痕框（Ｒ）之间的过渡范围中，用于减薄绝缘层（３）的，与连接孔一起置入的一个附加的凹槽（５）是安排到绝缘层（３）中的。
【技术特征摘要】
DE 1999-12-21 19961790.21．用于从半导体晶片中沿划痕框(R)分离半导体器件的一种装置，在此装置上在半导体晶片上安排了在其中构成了多个金属化平面(M0,M1,M2)的一个绝缘层(3)，在这些金属化平面中一个最上面的金属化平面(M2)，是经连接孔中的连接层(C2)与一个位于其下的金属化平面(M1)电气连接的，其特征在于，在半导体器件和划痕框(R)之...
【专利技术属性】
技术研发人员：R福伊勒，D萨维格纳克，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]
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