湿处理装置制造方法及图纸

根据本发明专利技术的湿处理装置由以下部分组成：化学处理池，其中储存有用来处理晶片表面的化学物质；晶片运送器，用于将晶片从化学处理池的内部运进和运出；传感器，确定化学处理池内化学物质中的气泡量并发出第一和第二控制信号；以及清洗池，其中储存有蒸馏水以用于对从化学处理池运送出来的晶片进行清洗；晶片运送装置根据第一控制信号控制晶片从化学处理池中提起的提升速度，并根据第二控制信号控制向清洗池的供水量。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种湿处理装置，具体涉及一种利用流体对用于形成半导体衬底的晶片表面进行清洗的湿处理装置。在现有技术中，一般都采用一种使用诸如硫酸的化学物质的湿处理装置来对晶片表面进行清洗，以形成制造半导体元件的半导体衬底。图5A和5B分别示出了说明现有技术一例的构成这种湿处理装置的化学处理池和清洗池的剖视图。如图5A和5B所示，这种现有技术中所使用的湿处理装置包括化学处理池1，其含有一个充满化学物质5(如，硫酸)的内池1a以及一个形成于内池1a上方周围的外池1b；晶片运送器8，用于运送晶片2；以及清洗池15，用于对经过处理的晶片2进行清洗。如图5A所示，当化学处理池1的内池1a被注满化学物质5时，在底部预备好晶片支架3，且使被晶片运送器8的运送器夹子9固定的晶片2被沿运送器轴1a运送，并被放置在晶片支架3上。当晶片2的装载完成之后，晶片运送器8将沿运送器轴1a移动离开内池1。在化学处理池1的外围上部形成有一个外池1b，外池1b中也含有从内池1a溢出的化学物质5(如，硫酸)，它也和形成于外池1b与内池1a之间、用于使化学物质5循环流动的化学物质管路相连。在该化学物质管路上安装有一个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种湿处理装置，其特征在于包括：化学处理池，其中储存有用来对晶片表面进行处理的化学物质；晶片运送器，用于将所述晶片运进和运出所述化学处理池的内部；传感器，其确定所述化学处理池内化学物质中的气泡量，并发出第一和第二控制信号；以及清洗池，其中储存有用于对所述晶片运送器从所述化学处理池运送出的所述晶片进行清洗的水，其中，所述晶片运送装置将所述晶片从所述化学处理池中提起的提升速度受所述第一控制信号的控制，而向所述清洗池供水的清洗池供水量受所述第二控制信号的控制。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2000-2-25 49135/20001．一种湿处理装置，其特征在于包括化学处理池，其中储存有用来对晶片表面进行处理的化学物质；晶片运送器，用于将所述晶片运进和运出所述化学处理池的内部；传感器，其确定所述化学处理池内化学物质中的气泡量，并发出第一和第二控制信号；以及清洗池，其中储存有用于对所述晶片运送器从所述化学处理池运送出的所述晶片进行清洗的水，其中，所述晶片运送装置将所述晶片从所述化学处理池中提起的提升速度受所述第一控制信号的控制，而向所述清洗池供水的清洗池供水量受所述第二控制信号的控制。2．如权利要求1所述的湿处理装置，其特征在于，在清洗池的供水管路中安装有一个用于第一流量的第一气动供水阀以及一个其流量小于所述第一流量的第二气动供水阀，而且所述第一和第二气动供水阀的打开和关闭受到所述第二控制信号的控制。3．如权利要求1所述的湿处理装置，其特征在于，所述传感器装置含有一个非接触式液位传感器，该传感器由密封材料安装在底部有一开口的柱体的上部，在所述柱体中形成有一个与所述化学处理池的溢出位相齐平的参考液位，所述化学物质中的气泡流入所述柱体的密封空间内，而且通过液位的高度就可检测出气泡的量。4．如权利要求3所述的湿处理装置，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：川口英彦，
申请(专利权)人：恩益禧电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]